RF2374TR7
Qorvo
主要参数包括类型 General Purpose Amplifier、湿敏性 是、型号别名 RF2374。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录QPM2239-CP
Qorvo · 封装：19.05 mm x 19.05 mm x 4.5 mm
主要参数包括工作电源电压 28 V、工作频率 13～15.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、增益 29 dB、工作电源电流 800 mA，采用 19.05 mm x 19.05 mm x 4.5 mm 封装。SMA411
MACOM
RF Amplifier 10-400MHz NF 3.0dB Gain 15.8dBR2005280L
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 5～200 MHz、测试频率 200 MHz、技术 硅、类型 CATV Amplifier、增益 28.3 dB。MAAP-011145-STD
MACOM
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 17.65～19.75 GHz、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 34 dBm、增益 25 dB。MAAM-011156-TR1000
MACOM · 封装：PQFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 5～300 MHz、技术 GaAs、类型 Differential Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 28 dBm，采用 PQFN-16 封装。QPA1010
Qorvo · 封装：4.5 mm x 5 mm x 1.72 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 7.9～11 GHz、测试频率 11 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier，采用 4.5 mm x 5 mm x 1.72 mm 封装。HMC504LC4B
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 27 GHz、频率范围 14～27 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-24 封装。RFPD3580
Qorvo · 封装：SOT-115J-9
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 34 V、工作频率 45 MHz to 1.218 GHz、技术 GaAs GaN、类型 Hybrid Power Doubler、增益 23 dB，采用 SOT-115J-9 封装。HMC625BLP5E
Analog Devices / Hittite · 封装：SMT-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0 Hz to 5 GHz、测试频率 3～5 GHz、技术 GaAs、类型 Digital Variable Gain，采用 SMT-32 封装。HMC-ALH445
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 40 GHz、频率范围 18～40 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 Die 封装。HMC659LC5TR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 DC to 15 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 26.5 dBm，采用 QFN-EP-32 封装。TGA2521-SM
Qorvo · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17～24 GHz、技术 硅、类型 Linear Driver Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 23.5 dBm，采用 QFN-16 封装。HMC637ALP5ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道，采用 QFN-32 封装。HMC903
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 18 GHz、频率范围 6～18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier。HMC1144
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 40～70 GHz、测试频率 50～70 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier，采用 Die 封装。HMC441
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 18 GHz、频率范围 6～18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier。HMC637BPM5E
Analog Devices / Hittite · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 12 V、工作频率 DC to 7.5 GHz、技术 GaAs、类型 MMIC、1 dB 压缩点（P1dB） 28 dBm，采用 LFCSP-32 封装。SZA3044Z
Qorvo · 封装：QFN-20
主要参数包括工作电源电压 3～6 V、工作频率 2.7～3.8 GHz、测试频率 3.6 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 30 dBm，采用 QFN-20 封装。TGA2976-SM
Qorvo · 封装：QFN-14
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 40 V、工作频率 100 MHz to 3 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、增益 13 dB，采用 QFN-14 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。