RFDA4005TR13
Qorvo · 封装：MCM-32
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 50～4000 MHz、测试频率 500 MHz、类型 Digital Variable Gain Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 14.7 dBm、增益 13.7 dB，采用 MCM-32 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录TQP3M9006
Qorvo · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 500 MHz to 4 GHz、测试频率 1.9 GHz、类型 Low Noise Amplifier，采用 QFN-16 封装。HMC415LP3ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 4.9～5.9 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 22.5 dBm，采用 QFN-16 封装。SMA45
MACOM
RF AmplifierPA38-2
MACOM
RF Amplifier 200-2600MHz NF 4.5dB Gain 8.5dB GaAsLX5518LQ-TR
Microchip / Microsemi · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～5 V、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 High Gain and High Power、增益 30 dB，采用 QFN-16 封装。R1005250L
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 5～100 MHz、测试频率 100 MHz、技术 硅、类型 CATV Amplifier、增益 25.5 dB。MAAP-011289-TR0500
MACOM · 封装：AQFN-32
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 20～30 GHz、测试频率 28～30 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 34 dBm，采用 AQFN-32 封装。HMC1126
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC407MS8GETR
Analog Devices / Hittite · 封装：MSOP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～7 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 25 dBm，采用 MSOP-8 封装。SST12LP14E-QX6E
Microchip Technology · 封装：VQFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作电源电流 500 mA、带宽 2.4 GHz、湿敏性 是、单件重量 0.001764 oz，采用 VQFN-16 封装。SST12LP19E-QX6E
Microchip Technology
主要参数包括湿敏性 是。SST12LP22-QUCE
Microchip Technology
RF Amplifier WLAN 11b/g/n 256QAM PAMAAM-011182-TR1000
MACOM · 封装：PDFN-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 45 MHz to 1.218 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 24 dBm，采用 PDFN-8 封装。TGA2594-HM
Qorvo · 封装：QFN-22
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 20 V、工作频率 27～31 GHz、测试频率 29 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier，采用 QFN-22 封装。HMC797A
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10 V、工作频率 DC to 22 GHz、测试频率 18～22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 Die 封装。HMC1049
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V、工作频率 0.3～20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 14.5 dBm，采用 QFN-32 封装。HMC519
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 32 GHz、频率范围 18～32 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier。TGA2237
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 30 V、工作频率 2.5 GHz、频率范围 0.03～2.5 GHz、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 32 dBm。HMC578
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 33 GHz、频率范围 24～33 GHz，采用 Die 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。