F2480NBGI
IDT · 封装：TQFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 400～3000 MHz、测试频率 2000 MHz、技术 硅、类型 RF VGA，采用 TQFN-32 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录BGA5H1BN6E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.5～3.6 V、工作频率 2300～2690 MHz、测试频率 2500 MHz、技术 SiGe、类型 LNA，采用 TSNP-6 封装。HMC368LP4ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 9～16 GHz、技术 GaAs，采用 QFN-16 封装。MAX2670GTB/V+T
Maxim Integrated · 封装：TDFN-10
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、型号别名 MAX2670、单件重量 0.001764 oz，采用 TDFN-10 封装。MAAM-010355-TR1000
MACOM · 封装：TSSOP-EP-16
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 45 MHz to 1.2 GHz、测试频率 1 GHz、技术 GaAs、类型 Power Doubler，采用 TSSOP-EP-16 封装。MAAM02350-A2
MACOM
RF Amplifier 200-3000MHz NF 4dB Gain 18dBHMC342LC4TR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 13～25 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 7 dBm，采用 QFN-24 封装。HMC549MS8GETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。QPA2286ASR
Qorvo · 封装：SOT-86-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.9～2.5 V、工作频率 DC to 5 GHz、测试频率 1.95 GHz、技术 SiGe、类型 HBT MMIC Amplifier，采用 SOT-86-4 封装。RF2374SR
Qorvo
主要参数包括类型 General Purpose Amplifier、湿敏性 是、型号别名 RF2374、单件重量 0.017637 oz。HMC517LC4TR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 17～26 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 12 dBm，采用 QFN-EP-24 封装。RF2637SR
Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 RF2637。MMA005AA
Microchip / Microsemi · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 2～22 GHz、测试频率 20 GHz、类型 Low Noise Wideband Distributed Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 14 dBm，采用 Die 封装。MMA017AA
Microchip / Microsemi · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 2～16 GHz、类型 Wideband Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm、增益 11.5 dB，采用 Die 封装。F1200NBGI
IDT · 封装：VFQFPN-28
主要参数包括产品 Operational Amplifiers、商品名称 FlatNoise、型号别名 IDTF1200 IDTF1200NBGI，采用 VFQFPN-28 封装。F1240NBGI
IDT · 封装：VFQFPN-32
主要参数包括商品名称 FlatNoise、型号别名 IDTF1240，采用 VFQFPN-32 封装。MAX2634AXT/V+T
Maxim Integrated
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.2～5.5 V、工作频率 315～433 MHz、测试频率 315 MHz、类型 Low Noise Amplifier、增益 15.5 dB。TQM8M9077
Qorvo · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 500 MHz to 4 GHz、类型 Digital Variable Gain Amplifier、噪声系数（NF） 3.7 dB、工作电源电流 88 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-32 封装。HMC382LP3ETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。MAAP-011139-DIE
MACOM · 封装：Die
主要参数包括工作电源电压 6 V、工作频率 30 GHz、测试频率 30 GHz、频率范围 29～31 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 Die 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。