SMA34
MACOM
RF Amplifier 100-2000MHz NF 5.5dB Gain 16.0dB射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MAAP-008924-000000
MACOM
RF Amplifier 10.0-13.3GHz NF 7dB Gain 21dB -40C +85CD10040240GT
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、测试频率 1 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier、增益 25.5 dB。D10040180GTH
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、测试频率 1 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier、增益 20 dB。HMC444LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 9.9～11.2 GHz、技术 GaAs、类型 HBT MMIC Amplifier、工作电源电流 68 mA，采用 QFN-24 封装。HMC635LC4TR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 18～40 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 22 dBm，采用 QFN-EP-24 封装。HMC442LC3BTR
Analog Devices / Hittite · 封装：LC3B-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17.5～25.5 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 22 dBm，采用 LC3B-12 封装。AD8350ARMZ15-REEL7
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 11 V、电源电压（最大值） 11 V、电源电压（最小值） 4 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 MSOP-8 封装。HMC577LC4B
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 27～31 GHz、技术 GaAs、类型 MMIC Amplifier、工作电源电流 213 mA，采用 QFN-24 封装。SBB5089ZSR
Qorvo · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 50～6000 MHz、测试频率 6000 MHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT MMIC Amplifier，采用 SOT-89-3 封装。HMC341LC3BTR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、类型 Low Noise Amplifier、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是。RF2878SR
Qorvo
主要参数包括型号别名 RF2878。HMC311LP3ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 DC to 6 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT Gain Block、1 dB 压缩点（P1dB） 15.5 dBm，采用 QFN-32 封装。HMC742ALP5E
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 70 MHz to 4 GHz、技术 GaAs、类型 MMIC Variable Gain Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 22 dBm，采用 QFN-32 封装。HMC578LC3BTR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 23～33 GHz、技术 GaAs，采用 QFN-EP-16 封装。HMC694LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6～17 GHz、技术 GaAs、类型 Analog Variable Gain Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21 dBm，采用 QFN-24 封装。TGA2814-SM
Qorvo · 封装：QFN-48
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 30 V、工作频率 3.1～3.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、增益 24 dB，采用 QFN-48 封装。LX5535LQ-TR
Microchip / Microsemi
RF Amplifier 2.4G PA, 3.3-5V, 3x3x0.9BGA3131J
NXP Semiconductors · 封装：HVQFN-20
主要参数包括型号别名 935303491118、单件重量 0.002179 oz，采用 HVQFN-20 封装。BGA5M1BN6E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.5～3.6 V、工作频率 1805～2200 MHz、测试频率 2000 MHz、技术 SiGe、类型 LNA，采用 TSNP-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。