SZM2066Z
Qorvo · 封装：QFN-40
主要参数包括工作电源电压 3～5 V、工作频率 2.4～2.7 GHz、测试频率 2.4～2.5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 WiFi Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 33.5 dBm，采用 QFN-40 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录TGA2576-FS
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 30 V、工作频率 6 GHz、频率范围 2.5～6 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier。SZM2166Z
Qorvo · 封装：QFN-40
主要参数包括工作电源电压 6 V、工作频率 2.3～2.7 GHz、测试频率 2.5～2.7 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 35 dBm，采用 QFN-40 封装。RFDA2026TR13
Qorvo · 封装：QFN-28
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1.4～2.7 GHz、测试频率 2.6 GHz、技术 硅、类型 Digitally Controlled Variable Gain Amplifier，采用 QFN-28 封装。RFDA0026TR13
Qorvo · 封装：QFN-28
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 700 MHz to 1.035 GHz、测试频率 900 MHz、技术 硅、类型 Digitally Controlled Variable Gain Amplifier，采用 QFN-28 封装。RFPA2016TR13
Qorvo · 封装：QFN-28
主要参数包括通道数 3 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 700 MHz to 2.7 GHz、测试频率 2.62～2.69 GHz、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 31 dBm，采用 QFN-28 封装。BGA7350,115
NXP Semiconductors · 封装：HVQFN-32
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 50～250 MHz、类型 RF、1 dB 压缩点（P1dB） 17 dBm、增益 18.5 dB、噪声系数（NF） 30 dB，采用 HVQFN-32 封装。TGA4544-SM T/R
Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 1094892。TQC9311
Qorvo · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 0.4～3.6 GHz、测试频率 1950 MHz，采用 QFN-32 封装。LX5561LL-TR
Microchip / Microsemi · 封装：MLPQ-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 2.4～2.5 GHz、测试频率 2.45 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 LNA，采用 MLPQ-12 封装。HMC448LC3BTR
Analog Devices
主要参数包括湿敏性 是。HMC414MS8GETR
Analog Devices / Hittite · 封装：MSOP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.6 V, 5 V、工作频率 2.2～2.8 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 27 dBm，采用 MSOP-8 封装。HMC-ALH508
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.4 V、工作频率 71～86 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 7 dBm，采用 Die 封装。HMC376LP3ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 700 MHz to 1 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21.5 dBm，采用 QFN-16 封装。F0480NBGI
IDT · 封装：TQFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 2.7 GHz、技术 硅、类型 Digital Variable Gain Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 22.2 dBm，采用 TQFN-32 封装。MAAM-011185-TR1000
MACOM · 封装：PQFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～300 MHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 27 dBm，采用 PQFN-16 封装。HMC-ALH310
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.5 V、工作频率 37～42 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 12 dBm，采用 Die 封装。HMC1110
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 71～86 GHz、技术 GaAs、类型 Broadband Amplifier、工作电源电流 175 mA，采用 Die 封装。TGA4542
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 6 V、电源电压（最大值） 6.5 V、工作频率 37～40 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 32.4 dBm。SKY65096-360LF
Skyworks Solutions, Inc.
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