HMC313
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-26-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 DC to 6 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Broadband Amplifier Gain Block、1 dB 压缩点（P1dB） 14 dBm，采用 SOT-26-6 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC441LP3
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6.5～13.5 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm，采用 QFN-16 封装。SBF5089Z
Qorvo · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.9 V、工作频率 DC to 500 MHz、测试频率 500 MHz、技术 GaAs InGaP、类型 Cellular，采用 SOT-89-3 封装。HMC451LP3
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～18 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 19.5 dBm，采用 QFN-16 封装。HMC-APH473-2-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 37～40 GHz、技术 GaAs、类型 Linear Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 28 dBm，采用 Die 封装。HMC-APH510-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 37～40 GHz、技术 GaAs、类型 Linear Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 26 dBm，采用 Die 封装。TQP9424SR
Qorvo · 封装：SMD-14
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.6～5.25 V、工作频率 2.3～2.4 GHz、测试频率 2.35 GHz、类型 3-Stage Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 35 dBm，采用 SMD-14 封装。HMC356LP3
Analog Devices · 封装：Buy Min.: 1Mult.: 1
主要参数包括通道数 1 个通道，采用 Buy Min.: 1Mult.: 1 封装。MAX2058ETL+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-40
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 700 MHz to 1.2 GHz、测试频率 940 MHz，采用 TQFN-40 封装。SBA4086Z
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 DC to 5 GHz、测试频率 1.95 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Cellular、1 dB 压缩点（P1dB） 19 dBm。SXA389BZ
Qorvo · 封装：SOT-89-3
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 2.5 GHz、测试频率 2.45 GHz、技术 GaAs、类型 Cellular、1 dB 压缩点（P1dB） 25 dBm，采用 SOT-89-3 封装。HMC863ALC4
Analog Devices / Hittite · 封装：SMT-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5.5 V、工作频率 24 GHz to 29 GHz, 29 GHz to 29.5 GHz、技术 GaAs、类型 3-Stage Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 27 dBm，采用 SMT-24 封装。MAX2659ELT+T
Maxim Integrated · 封装：UDFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.85 V、电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 1.6 V、工作频率 1～2 GHz、测试频率 1.575 GHz，采用 UDFN-6 封装。HMC7885FH18
Analog Devices / Hittite · 封装：CM-18
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2～6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 39 dBm，采用 CM-18 封装。TGA2625
Qorvo · 封装：5 mm x 2.62 mm x 0.1 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 10～11 GHz、技术 GaN SiC、类型 GaN Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 40 dBm，采用 5 mm x 2.62 mm x 0.1 mm 封装。TGA2625-CP
Qorvo · 封装：15.2 mm x 15.2 mm x 3.5 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 10～11 GHz、技术 GaN SiC、类型 GaN Power Amplifier、增益 36 dB，采用 15.2 mm x 15.2 mm x 3.5 mm 封装。HMC1022A-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10 V、工作频率 DC to 48 GHz、测试频率 40～48 GHz、技术 GaAs、1 dB 压缩点（P1dB） 17 dBm，采用 Die 封装。TGA4537-SM
Qorvo · 封装：QFN-26
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 29～35 GHz、技术 硅、类型 Ka-Band Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 30 dBm，采用 QFN-26 封装。SZM3166Z
Qorvo · 封装：QFN-40
主要参数包括工作电源电压 5.2 V、工作频率 3.3～3.6 GHz、测试频率 3.5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 WiFi Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 34.5 dBm，采用 QFN-40 封装。SZM3066Z
Qorvo · 封装：QFN-40
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 3.3～3.8 GHz、测试频率 3.5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 33.5 dBm，采用 QFN-40 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。