HMC8400
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～7 V、工作频率 2～30 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 13.5 dBm，采用 Die 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录QPA6489ASR
Qorvo · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5.1 V、工作频率 DC to 3.5 GHz、测试频率 1.95 GHz、技术 SiGe、类型 HBT MMIC Amplifier，采用 SOT-89-3 封装。HMC368LP4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 9～16 GHz、技术 GaAs，采用 QFN-16 封装。HMC575LP4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 6～9 GHz、技术 GaAs，采用 QFN-24 封装。TQP9421
Qorvo · 封装：7 mm x 7 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5 V、工作频率 2.11～2.17 GHz、测试频率 2.14 GHz、技术 硅、类型 High Linearity Power Amplifier，采用 7 mm x 7 mm 封装。HMC463LP5
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2～20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise AGC Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 19 dBm，采用 QFN-32 封装。HMC636ST89
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.2～4 GHz、技术 GaAs、类型 High Linearity, Low Noise Gain Block Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 22 dBm，采用 SOT-89-3 封装。HMC374
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-26-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.3～3 GHz、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 22 dBm、增益 15 dB，采用 SOT-26-6 封装。QPL9065SR
Qorvo · 封装：SMT-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3～5.25 V、工作频率 450 MHz to 3.8 GHz、测试频率 1.95 GHz、技术 硅、类型 Low Noise Amplifier，采用 SMT-16 封装。QPA5368SR
Qorvo · 封装：MCM-32
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 12 V、工作频率 5～300 MHz、技术 硅、类型 Integrated Reverse Amplifier、增益 35.6 dB，采用 MCM-32 封装。MAAP-011298-TR0500
MACOM · 封装：AQFN-32
主要参数包括工作电源电压 6 V、工作频率 27～31.5 GHz、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 32.5 dBm、增益 24.5 dB、最小工作温度 - 40 C，采用 AQFN-32 封装。MAX2248ETE+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7～5 V、工作频率 1880～1930 MHz、测试频率 1.9 GHz、技术 硅、类型 Power Amplifier，采用 TQFN-16 封装。HMC754S8GE
Analog Devices / Hittite · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 DC to 1 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 High Linearity, Push-Pull Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21 dBm，采用 SOIC-8 封装。HMC480ST89
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 DC to 5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT Gain Block、1 dB 压缩点（P1dB） 20 dBm，采用 SOT-89-3 封装。BGU7041,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-363-6
主要参数包括工作频率 40 MHz to 1 GHz、1 dB 压缩点（P1dB） 12 dBm、增益 10 dB、噪声系数（NF） 3.8 dB、输出三阶截点（OIP3） 29 dBm、型号别名 934065354115，采用 SOT-363-6 封装。RDA2032ZTR7
Qorvo · 封装：MCM-32
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 50～1000 MHz、测试频率 140 MHz、技术 GaAs InGaP、类型 Digital Variable Gain Amplifier，采用 MCM-32 封装。BGU7042,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-363-6
主要参数包括工作频率 40 MHz to 1 GHz、1 dB 压缩点（P1dB） 12 dBm、增益 10 dB、噪声系数（NF） 3.8 dB、输出三阶截点（OIP3） 29 dBm、型号别名 934065355115，采用 SOT-363-6 封装。HMC-APH634
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 81～86 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 19 dBm，采用 Die 封装。HMC326MS8G
Analog Devices / Hittite · 封装：MSOP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3～4.5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Driver Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 23.5 dBm，采用 MSOP-8 封装。HMC462LP5
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 20 GHz、频率范围 2～20 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。