LX5535LQ
Microchip / Microsemi
RF Amplifier LX5535LQ射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录BGU8L1X
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 934068532115、单件重量 0.000026 oz。BGU7031,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-363-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、测试频率 1 GHz，采用 SOT-363-6 封装。BGU7032,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-363-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、测试频率 1 GHz，采用 SOT-363-6 封装。HMC516-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 7～17 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 16 dBm，采用 Die 封装。MAX2091ETP+
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 MAX2091。MAX2670GTB/V+
Maxim Integrated · 封装：TDFN-10
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 1.575 GHz、测试频率 1.575 GHz、类型 GPS，采用 TDFN-10 封装。SPF5344Z
Qorvo · 封装：QFN-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 800 MHz to 4 GHz、测试频率 2.2 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 22.7 dBm，采用 QFN-20 封装。RFCA3306TR13
Qorvo · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 50 MHz to 1 GHz、测试频率 1 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 CATV Amplifier，采用 SOT-89-3 封装。RFGA0014TR13
Qorvo · 封装：SOT-89-3
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 50 MHz to 1 GHz、测试频率 450 MHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT MMIC Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 19 dBm，采用 SOT-89-3 封装。SXB2089Z
Qorvo · 封装：SOT-89-3
主要参数包括工作电源电压 8 V、工作频率 5 MHz to 2.5 GHz、测试频率 2.14 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT MMIC Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 24.5 dBm，采用 SOT-89-3 封装。BGA713N7E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-7
主要参数包括型号别名 713N7 BGA E6327 SP001061042，采用 TSNP-7 封装。BGA 614 H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 3 GHz、测试频率 2 GHz、类型 Silicon Germanium MMIC，采用 SOT-343-4 封装。BGA420H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
主要参数包括型号别名 420 BGA BGA42H6327XT H6327 SP000753504、单件重量 0.000236 oz，采用 SOT-343-4 封装。BGA616H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
主要参数包括型号别名 616 BGA BGA616H6327XT H6327 SP000753514、单件重量 0.000243 oz，采用 SOT-343-4 封装。BGA614H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
主要参数包括型号别名 614 BGA BGA614H6327XT H6327 SP000753512、单件重量 0.000226 oz，采用 SOT-343-4 封装。BGA622H6820XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
主要参数包括型号别名 622 BGA BGA622H682XT H6820 SP000753516、单件重量 0.007055 oz，采用 SOT-343-4 封装。BGA 427 H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
主要参数包括工作电源电压 6 V、工作频率 3 GHz、类型 Silicon MMIC Amplifier、噪声系数（NF） 2.2 dB、工作电源电流 25 mA、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-343-4 封装。NJG1152KA1-TE1
NJR
RF Amplifier Wide Band LN Amp GaAs MMIC 20mAAG203-86G
Qorvo · 封装：SOT-86
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.1 V、工作频率 0 Hz to 6 GHz、测试频率 900 MHz、技术 GaAs InGaP、类型 Buffer Amplifier，采用 SOT-86 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。