LX5531LQ
Microchip / Microsemi
RF Amplifier LX5531LQ射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC637A-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 12 V、工作频率 DC to 6 GHz、测试频率 DC to 6 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 Die 封装。SMA70-2
MACOM
RF Amplifier 10-250MHz NF 2.2dB Gain 8.0dBHMC717ALP3ETR
Analog Devices · 封装：Up-Down Converters
主要参数包括通道数 1 个通道、湿敏性 是，采用 Up-Down Converters 封装。HMC561-SX
Analog Devices
RF Amplifier GaAs x2 Active Mult 8-20GHz OutputHMC-ALH140-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 24～40 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 15 dBm，采用 Die 封装。HMC441-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6～18 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 20 dBm，采用 Die 封装。HMC1110-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 71～86 GHz、技术 GaAs、类型 x6 Active Frequency Multiplier、工作电源电流 175 mA，采用 Die 封装。HMC451-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。MAAMSS0041TR
MACOM
RF Amplifier 50-1000MHz NF 2.7dB Gain 14.8dB 75 OhmHMC-ALH444-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1～12 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 19 dBm，采用 Die 封装。HMC463-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2～20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 16 dBm，采用 Die 封装。HMC578-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 24～33 GHz、技术 GaAs，采用 Die 封装。HMC7229-SX
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道。S10040280GT
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、测试频率 1 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier、增益 28.5 dB。TRF37B75IDSGT
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括工作电源电压 4.5～5.25 V、工作频率 40～4000 MHz、测试频率 2 GHz、类型 Gain Block Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 17.5 dBm、增益 15 dB，采用 WSON-8 封装。HMC-ALH369-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 24～40 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 11 dBm，采用 Die 封装。HMC814-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 13～24.6 GHz、技术 GaAs，采用 Die 封装。SST12LP14C-QVCE
Microchip Technology · 封装：VQFN
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 2485 MHz、类型 Power Amplifier，采用 VQFN 封装。SKY66008-11
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：MCM-10
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3～4.6 V、工作频率 900～990 MHz、测试频率 942.5 MHz、技术 GaAs InGaP、类型 Linear Power Amplifier，采用 MCM-10 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。