SKY67102-396LF
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：DFN-8
主要参数包括工作电源电压 4 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3.3 V、工作频率 2～3 GHz、测试频率 2.6 GHz、类型 Low Noise Amplifier，采用 DFN-8 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC448LC3B
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 20～25 GHz、技术 GaAs、类型 Broadband Amplifier、工作电源电流 110 mA，采用 SOT-89-3 封装。SKY65006-348LF
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 2.4～2.5 GHz、测试频率 2.442 GHz、类型 Power Amplifier，采用 QFN-16 封装。HMC518
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 20～32 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 12 dBm，采用 Die 封装。HMC395
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 DC to 4 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT Gain Block、1 dB 压缩点（P1dB） 10 dBm，采用 Die 封装。MAX2066ETL+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-40
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 50 MHz to 1 GHz、测试频率 350 MHz、类型 General Purpose Amplifier，采用 TQFN-40 封装。HMC639ST89ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-89-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.2～4 GHz、技术 GaAs、类型 High IP3, Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21 dBm，采用 SOT-89-4 封装。BGM15HA12E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SLP-12
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、工作频率 2.3～2.7 GHz、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） - 8 dBm、增益 16.3 dB、噪声系数（NF） 1.35 dB，采用 SLP-12 封装。HMC8120-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC462-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2～20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 14.5 dBm，采用 Die 封装。HMC-AUH320-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 71～86 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 15 dBm，采用 Die 封装。HMC383-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC-ALH313-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.5 V、工作频率 27～33 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 12 dBm，采用 Die 封装。HMC564-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道，采用 Die 封装。MAAL-007304-001SMB
MACOM
RF Amplifier 500-3000MHz NF .7dB Sample BrdLX5511LQ
Microchip / Microsemi
RF Amplifier LX5511LQHMC-APH596-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 16～33 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 24 dBm，采用 Die 封装。SKY66002-11
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：MCM-10
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3～4.6 V、工作频率 1900～2025 MHz、测试频率 1960 MHz、技术 GaAs InGaP、类型 Linear Power Amplifier，采用 MCM-10 封装。SKY65803-696LF
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：DFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.5～3.3 V、工作频率 717～960 MHz、类型 LNA、1 dB 压缩点（P1dB） - 7 dBm、增益 14 dB，采用 DFN-6 封装。HMC576-SX
Analog Devices
RF Amplifier GaAs PHEMT MMIC ADA 18 - 27 GHz Output型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。