SKY65452-92LF
Skyworks Solutions, Inc.
RF Amplifier 1000Mhz CATV LNA射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MAX2371ETC+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.775 V、电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 2.65 V、工作频率 100 MHz to 1 GHz、测试频率 850～940 MHz，采用 TQFN-EP-12 封装。BGA3012,115
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 935295451115、单件重量 0.001466 oz。HMC-ALH102
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2 V、工作频率 20 GHz、频率范围 2～20 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 Die 封装。SMA1212
MACOM
RF AmplifierHMC1049-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V、工作频率 300 MHz to 20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 14.5 dBm，采用 QFN-32 封装。A81-1
MACOM
RF Amplifier 20-250MHz NF 2.4dB Gain 25.0dBHMC442-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17.5～25.5 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21.5 dBm，采用 Die 封装。HMC452QS16GE
Analog Devices / Hittite · 封装：QSOP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.4～2.2 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 31 dBm，采用 QSOP-16 封装。MAX2027EUP+D
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-20
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.75～5.25 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 50～400 MHz、类型 Gain Amplifier，采用 TSSOP-20 封装。MAAMSS0042TR
MACOM · 封装：SOT-89-3
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 1 GHz、测试频率 1 GHz、频率范围 50 MHz to 1 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier，采用 SOT-89-3 封装。MAX2685EEE+
Maxim Integrated · 封装：QSOP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 800 MHz to 1 GHz、测试频率 880 MHz，采用 QSOP-16 封装。HMC7229
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 33～40 GHz、测试频率 37～40 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier with Power Detector，采用 Die 封装。HMC1126-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2～50 GHz、测试频率 40～50 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 Die 封装。HMC373LP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 700 MHz to 1 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 20 dBm，采用 QFN-16 封装。HMC445LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 9.9～11 GHz、技术 GaAs、类型 HBT MMIC Amplifier、工作电源电流 78 mA，采用 QFN-24 封装。HMC457QS16GE
Analog Devices / Hittite · 封装：QSOP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1.7～2.2 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 29 dBm，采用 QSOP-16 封装。MAX2670GTB+T
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 MAX2670。AD8350ARMZ20
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4～11 V、电源电压（最大值） 11 V、电源电压（最小值） 4 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 MSOP-8 封装。HMC-ALH476-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 14～27 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 14 dBm，采用 Die 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。