HMC609LC4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 2～4 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21.5 dBm，采用 QFN-EP-24 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC789ST89E
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.7～2.8 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT Gain Block、1 dB 压缩点（P1dB） 23.5 dBm，采用 SOT-89-3 封装。HMC460-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 DC to 20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 16 dBm，采用 Die 封装。MAX2092ETP+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.8 V、工作频率 700～2700 MHz、类型 Power Amplifier、增益 18.1 dB、噪声系数（NF） 5.2 dB、输出三阶截点（OIP3） 50 dBm，采用 TQFN-EP-20 封装。MAX2090ETP+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.8 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 50 MHz to 1 GHz、测试频率 350 MHz、类型 General Purpose Amplifier，采用 TQFN-EP-20 封装。LX5530LQ
Microchip / Microsemi · 封装：MLP-16
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 5 GHz、频率范围 4.9～5.9 GHz、技术 GaAs InGaP，采用 MLP-16 封装。MAX2233EEE+
Maxim Integrated · 封装：PQSOP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 800 MHz to 1 GHz、测试频率 902～928 MHz，采用 PQSOP-16 封装。HMC598-SX
Analog Devices
RF Amplifier ADA freq Doubler 20-40GHzHMC463LH250
Analog Devices / Hittite · 封装：LH250-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2～20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise AGC Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 19 dBm，采用 LH250-12 封装。AD8351SCPZ-EP-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 RF/IF Amplifier、工作电源电流 28 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 LFCSP-16 封装。HMC454ST89ETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。SA604AD/01,112
NXP Semiconductors · 封装：SO-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5～8 V、电源电压（最大值） 8 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 25 MHz、测试频率 28 MHz，采用 SO-16 封装。MAX2693LEWS+T
Maxim Integrated · 封装：WLP-4
主要参数包括型号别名 MAX2693，采用 WLP-4 封装。HMC8121-SX
Analog Devices · 封装：RF Amplifier
主要参数包括通道数 1 个通道，采用 RF Amplifier 封装。MAX2694EWS+T
Maxim Integrated · 封装：WLP-4
主要参数包括型号别名 MAX2694，采用 WLP-4 封装。LX5560LL
Microchip / Microsemi · 封装：MLPG-12
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、工作频率 4.9～6 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 2 dBm、增益 12 dB，采用 MLPG-12 封装。HMC-ALH313
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.5 V、工作频率 27～33 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 12 dBm，采用 Die 封装。MAX9990ETP+
Maxim Integrated · 封装：QFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、工作频率 1.5～2.2 GHz、类型 LO Buffer/Splitter、噪声系数（NF） - 170 dB、工作电源电流 116 mA、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-EP-20 封装。HMC382LP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1.7～2.2 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 16 dBm，采用 QFN-16 封装。MAX2265EUE+
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-EP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 824～849 MHz、测试频率 836 MHz，采用 TSSOP-EP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。