HMC313ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-26-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 DC to 6 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Broadband Amplifier Gain Block、1 dB 压缩点（P1dB） 14 dBm，采用 SOT-26-6 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC1131LC4
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 24～35 GHz、测试频率 27～35 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier，采用 QFN-24 封装。HMC406MS8GE
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6 GHz、频率范围 5～6 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 RF Amplifier。HMC516LC5TR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 18 GHz、频率范围 7～14 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-24 封装。BGA2851,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-363-6
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 0 Hz to 2.2 GHz、测试频率 950 MHz、类型 MMIC Amplifier，采用 SOT-363-6 封装。HMC370LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 4 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 16.4 GHz、频率范围 14.4～16.4 GHz，采用 QFN-24 封装。BGA3015,115
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 935295452115、单件重量 0.001466 oz。HMC7229LS6
Analog Devices / Hittite · 封装：LS6-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 37～40 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 31.5 dBm，采用 LS6-16 封装。HMC374SC70E
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 0.3～3 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 16.5 dBm，采用 SOT-89-3 封装。MAAM-010373-TR1000
MACOM · 封装：SOT-89
主要参数包括工作电源电压 10 V、工作频率 50 MHz to 1.1 GHz、类型 CATV Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 25 dBm、增益 22 dB、噪声系数（NF） 3 dB，采用 SOT-89 封装。HMC963LC4TR
Analog Devices / Hittite · 封装：SC-70-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 6～26.5 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 10 dBm，采用 SC-70-6 封装。HMC369LP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 12.7 GHz、频率范围 9.9～12.7 GHz，采用 QFN-16 封装。MAX2645EUB+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-EP-10
主要参数包括工作电源电压 5.5 V、工作频率 3.4～3.8 GHz、技术 SiGe、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） - 5 dBm、增益 14.4 dB，采用 UMAX-EP-10 封装。HMC618ALP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～5 V、工作频率 1.2～2.2 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 20 dBm，采用 QFN-16 封装。TRF37C75IDSGT
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括工作电源电压 4.5～5.25 V、工作频率 40～4000 MHz、测试频率 2 GHz、类型 Gain Block Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 19.5 dBm、增益 18 dB，采用 WSON-8 封装。MAX2641EUT+T
Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 2.5 GHz、测试频率 2.45 GHz，采用 SOT-23-6 封装。BGA7L1N6E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-6
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、工作频率 728～960 MHz、技术 SiGe、类型 LNA for LTE、1 dB 压缩点（P1dB） - 2 dBm、增益 13.3 dB，采用 TSNP-6 封装。BGU7007,115
NXP Semiconductors · 封装：XSON-6
主要参数包括工作电源电压 1.8 V、电源电压（最大值） 3.1 V、电源电压（最小值） 1.5 V、工作频率 1.559～1.61 GHz、测试频率 1.575 GHz、类型 Low Noise Amplifier，采用 XSON-6 封装。TRF37B73IDSGT
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 1 MHz to 6 GHz、技术 硅，采用 WSON-8 封装。HMC633-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～17 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 23 dBm，采用 Die 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。