HMC695LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 4 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 13.2 GHz、频率范围 11.4～13.2 GHz，采用 QFN-24 封装。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录A67-1
MACOM
RF Amplifier 10-600MHz NF 3.6dB Gain 15.0dBHMC752LC4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 24～28 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 13 dBm，采用 QFN-EP-24 封装。HMC997LC4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17～27 GHz、技术 GaAs、类型 Variable Gain Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 24 dBm，采用 QFN-24 封装。HMC454ST89E
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-89-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2.5 GHz、频率范围 0.4～2.5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 RF Amplifier，采用 SOT-89-4 封装。MAX3518ETP+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 5～85 MHz、类型 CATV Upstream Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 74 dBm，采用 TQFN-EP-20 封装。BGA2874,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-363-6
主要参数包括工作频率 0 Hz to 750 MHz、1 dB 压缩点（P1dB） 5 dBm、增益 31 dB、噪声系数（NF） 3.1 dB、输出三阶截点（OIP3） 17 dBm、型号别名 935295973115，采用 SOT-363-6 封装。HMC453QS16GE
Analog Devices / Hittite · 封装：QSOP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.4～2.2 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 33 dBm，采用 QSOP-16 封装。ADL5534ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 20～500 MHz、类型 IFA，采用 LFCSP-16 封装。MAX2232EEE+
Maxim Integrated · 封装：PQSOP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 800 MHz to 1 GHz、测试频率 902～928 MHz，采用 PQSOP-16 封装。BGA2815,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-363-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 250 MHz to 2.15 GHz、测试频率 250 MHz、技术 硅、类型 MMIC Wideband Amplifier，采用 SOT-363-6 封装。AD8350ARZ20-REEL7
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 11 V、电源电压（最大值） 11 V、电源电压（最小值） 4 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。SE2568U-R
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-8
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 2.4～2.5 GHz、测试频率 2.4 GHz、类型 Wireless LAN Power Amplifier，采用 QFN-8 封装。HMC464LP5E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 20 GHz、频率范围 2～20 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-32 封装。HMC594LC3B
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 2～4 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21 dBm，采用 QFN-EP-16 封装。SMA3101-TL-E
ON Semiconductor
RF Amplifier WIDEBAND AMPLIFIERHMC414MS8GE
Analog Devices / Hittite · 封装：MSOP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2.8 GHz、频率范围 2.2～2.8 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 RF Amplifier，采用 MSOP-8 封装。HMC342LC4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 13～25 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 7 dBm，采用 QFN-24 封装。AD8350ARMZ15
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4～11 V、电源电压（最大值） 11 V、电源电压（最小值） 4 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 MSOP-8 封装。MMG3012NT1
NXP / Freescale · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 0～6 GHz、测试频率 900 MHz，采用 SOT-89-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。