HMC578LC3B
Analog Devices / Hittite · 封装：SMT-12
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 33 GHz、频率范围 23～33 GHz，采用 SMT-12 封装。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录HMC694
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6～17 GHz、技术 GaAs、类型 MMIC Variable Gain Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 22 dBm，采用 Die 封装。HMC516LC5
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 18 GHz、频率范围 9～18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-32 封装。HMC311LP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6 GHz、频率范围 DC to 6 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Gain Block Amplifier，采用 QFN-16 封装。HMC788ACPSZ-EP-PT
Analog Devices / Hittite · 封装：LFCSP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5～5.5 V、工作频率 0.01～10 GHz、测试频率 0.01～6 GHz、技术 GaAs、类型 RF Gain Block，采用 LFCSP-6 封装。BGA2802,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-363-6
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 0 Hz to 2.2 GHz、测试频率 950 MHz、类型 MMIC Amplifier，采用 SOT-363-6 封装。THS9000DRWT
Texas Instruments · 封装：VSON-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 50～400 MHz、测试频率 350 MHz，采用 VSON-6 封装。HMC498LC4TR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17～24 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 25 dBm，采用 QFN-EP-24 封装。BGU6101,147
NXP Semiconductors · 封装：HXSON-6
主要参数包括工作电源电压 1.5～5 V、工作频率 40 MHz to 4 GHz、类型 MMIC Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） - 6.5 dBm、增益 13 dB、噪声系数（NF） 1.3 dB，采用 HXSON-6 封装。HMC871LC5
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 DC to 20 GHz、技术 GaAs、类型 Modulator Driver、1 dB 压缩点（P1dB） 16.5 dBm，采用 QFN-EP-32 封装。MMG3002NT1
NXP / Freescale
主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 40 MHz to 3.6 GHz、测试频率 900 MHz、类型 General Purpose Amplifier、增益 20 dB、噪声系数（NF） 4.2 dB。SE2623L-R
Skyworks Solutions, Inc.
主要参数包括湿敏性 是。MAX2688EWS+T
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 MAX2688。HMC452ST89E
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-89-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2.2 GHz、频率范围 0.4～2.2 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 RF Amplifier，采用 SOT-89-4 封装。SKY67021-396LF
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：DFN-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.6～1.2 GHz、测试频率 0.9 GHz、技术 GaAs、类型 Active Bias Low Noise Amplifier，采用 DFN-8 封装。HMC409LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3.3～3.8 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 30.5 dBm，采用 QFN-24 封装。HMC327MS8GETR
Analog Devices / Hittite · 封装：MSOP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3～4 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 27 dBm，采用 MSOP-8 封装。HMC741ST89ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-89-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.05～3 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT Gain Block、1 dB 压缩点（P1dB） 18.8 dBm，采用 SOT-89-4 封装。HMC635-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 18～40 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 23 dBm，采用 Die 封装。HMC590LP5E
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V、工作频率 9.5 GHz、频率范围 6～9.5 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。