TRF37C73IDSGT
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 1 MHz to 6 GHz、技术 硅，采用 WSON-8 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MAX2611EUS+T
Maxim Integrated · 封装：SOT-143-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1.1 GHz、测试频率 500 MHz、类型 General Purpose Amplifier、增益 18 dB，采用 SOT-143-4 封装。QPA4263ATR7
Qorvo
主要参数包括型号别名 QPA4263A。HMC499
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 21～32 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 23 dBm，采用 Die 封装。HMC566LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 36 GHz、频率范围 38～36 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-24 封装。RF2637TR13
Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 RF2637。BGA2866,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-363-6
主要参数包括通道数 6 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0 Hz to 2.2 GHz、类型 MMIC Wideband Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 4 dBm、增益 24.3 dB，采用 SOT-363-6 封装。BGU8009,115
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 934066566115、单件重量 0.000048 oz。HMC498LC4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 24 GHz、频率范围 17～24 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-24 封装。HMC462LP5E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 20 GHz、频率范围 2～20 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-32 封装。HMC633LC4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17 GHz、频率范围 5.5～17 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifier，采用 QFN-24 封装。BGU7005,115
NXP Semiconductors · 封装：XSON-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.8 V、电源电压（最大值） 3.1 V、电源电压（最小值） 1.5 V、工作频率 1.559～1.61 GHz、测试频率 1.575 GHz，采用 XSON-6 封装。BGA2818,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-363-6
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 0 Hz to 2.2 GHz、测试频率 2.15 GHz、类型 MMIC Amplifier，采用 SOT-363-6 封装。BGA2817,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-363-6
主要参数包括工作电源电压 3～3.6 V、工作频率 0 Hz to 2.2 GHz、类型 MMIC Wideband Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 5 dBm、增益 25.1 dB、噪声系数（NF） 3.9 dB，采用 SOT-363-6 封装。BGA2869,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-363-6
主要参数包括工作频率 0 Hz to 2.2 GHz、1 dB 压缩点（P1dB） 10 dBm、增益 31.7 dB、噪声系数（NF） 3.1 dB、输出三阶截点（OIP3） 19 dBm、型号别名 935294012115，采用 SOT-363-6 封装。A26
MACOM
RF Amplifier 10-1500MHz NF 5.0dB Gain 20.5dBAD8354ACPZ-REEL7
Analog Devices · 封装：LFCSP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 1～2700 MHz、测试频率 900 MHz，采用 LFCSP-8 封装。BGA824N6E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-6
主要参数包括型号别名 824N6 BGA E6327 SP001079364、单件重量 0.000032 oz，采用 TSNP-6 封装。TGA2704
Qorvo · 封装：3.52 mm x 2.61 mm
主要参数包括工作电源电压 10 V、工作频率 9～10.5 GHz、类型 High Power Amplifier、工作电源电流 3.85 A、型号别名 1032673，采用 3.52 mm x 2.61 mm 封装。TGA2700
Qorvo · 封装：1.57 mm x 1.33 mm x 0.1 mm
主要参数包括工作电源电压 9 V、电源电压（最大值） 10 V、工作频率 7～13 GHz、测试频率 7～13 GHz、技术 GaAs、类型 X-Band Driver Amplifier，采用 1.57 mm x 1.33 mm x 0.1 mm 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。