HMC375LP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1.7～2.2 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm，采用 QFN-16 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录AG606-G
Qorvo · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5.25 V、电源电压（最大值） 7 V、工作频率 50～1000 MHz、测试频率 800 MHz、技术 GaAs InGaP，采用 SOIC-8 封装。BGA7027,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-89-3
主要参数包括工作频率 400 MHz to 2.7 GHz、1 dB 压缩点（P1dB） 28 dBm、增益 11 dB、噪声系数（NF） 3.9 dB、输出三阶截点（OIP3） 42.5 dBm、型号别名 935289298115，采用 SOT-89-3 封装。MAX2630EUS+T
Maxim Integrated · 封装：SOT-143-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 800 MHz to 1 GHz、类型 General Purpose Amplifier，采用 SOT-143-4 封装。MAX2130EUA+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-EP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 44～878 MHz、测试频率 500 MHz，采用 UMAX-EP-8 封装。AG302-63G
Qorvo · 封装：SOT-363-6
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 1066836，采用 SOT-363-6 封装。HMC327MS8GE
Analog Devices / Hittite · 封装：MSOP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 4 GHz、频率范围 3～4 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 RF Amplifier，采用 MSOP-8 封装。BGA2800,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-363-6
主要参数包括通道数 6 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 0 Hz to 2.2 GHz、类型 MMIC Wideband Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） - 1 dBm、增益 20.2 dB，采用 SOT-363-6 封装。MAX2471EUT+T
Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 500 MHz、测试频率 500 MHz，采用 SOT-23-6 封装。HMC480ST89E
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 DC to 5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT Gain Block、1 dB 压缩点（P1dB） 20 dBm，采用 SOT-89-3 封装。HMC564
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 13.5 GHz、频率范围 7～13.5 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier。THS9001DBVT
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7～5.5 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 50～350 MHz、测试频率 350 MHz，采用 SOT-23-6 封装。TRF37A73IDSGT
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 1 MHz to 6 GHz、技术 硅，采用 WSON-8 封装。MAX2057ETX+
Maxim Integrated · 封装：QFN-36
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、工作频率 1300～2700 MHz、类型 Variable Gain Amplifier、增益 15.5 dB、噪声系数（NF） 6 dB、输出三阶截点（OIP3） 64 dBm，采用 QFN-36 封装。HMC374E
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-26-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3 GHz、频率范围 0.3～3 GHz、类型 RF Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 22 dBm，采用 SOT-26-6 封装。TRF37D73IDSGT
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 1 MHz to 6 GHz、测试频率 2 GHz，采用 WSON-8 封装。TRF37A75IDSGR
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括工作频率 40～6000 MHz、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm、增益 12 dB、噪声系数（NF） 4 dB、输出三阶截点（OIP3） 32.5 dBm、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。HMC313E
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-26-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6 GHz、频率范围 DC to 6 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Gain Block Amplifier，采用 SOT-26-6 封装。HMC499LC4
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 32 GHz、频率范围 21～32 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-24 封装。HMC740ST89E
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-89-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3 GHz、频率范围 0.05～3 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Gain Block Amplifier，采用 SOT-89-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。