HMC455LP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1.7～2.5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 High IP3 Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 27.5 dBm，采用 QFN-16 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC-AUH249-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 DC to 35 GHz、测试频率 DC to 35 GHz、技术 GaAs、类型 Modulator Driver Amplifier，采用 Die 封装。TGA3504-SM
Qorvo · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 30 GHz、测试频率 16 GHz、频率范围 2～30 GHz、技术 GaAs、类型 Wideband Gain Block Amplifier，采用 QFN-32 封装。OS10040280GW-012
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、测试频率 40 MHz to 1 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier、增益 28 dB。TQP9107-PCB
Qorvo
主要参数包括型号别名 1117314。OS10040280GW-014
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、测试频率 40 MHz to 1 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier、增益 28 dB。OS10040280GW-013
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、测试频率 40 MHz to 1 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier、增益 28 dB。HMC442LM1
Analog Devices / Hittite · 封装：LM1-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17.5～24 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21.5 dBm，采用 LM1-8 封装。OS10040280GW-015
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、测试频率 40 MHz to 1 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier、增益 28 dB。RFPD3210
Qorvo · 封装：SOT-115J-9
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 45～1218 MHz、测试频率 45～1218 MHz、技术 GaAs GaN、类型 Power Doubler Amplifier，采用 SOT-115J-9 封装。TGA4532-SM
Qorvo · 封装：QFN-EP-20
主要参数包括型号别名 1075274，采用 QFN-EP-20 封装。D10040270GTH
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、测试频率 1 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier、增益 28 dB。D10040220GTH
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、测试频率 1 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier、增益 22 dB。RFPP2590
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 45 MHz to 1.2 GHz、测试频率 1.2 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier、增益 23.5 dB。HMC-APH518-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 21～24 GHz、技术 GaAs、类型 Linear Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 30.5 dBm，采用 Die 封装。HMC566-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 29～36 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 12 dBm，采用 Die 封装。HMC7441-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 27.5～31 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 34 dBm，采用 Die 封装。HMC-APH403-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 37～45 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 23 dBm，采用 Die 封装。HMC341-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 24～30 GHz、测试频率 24～26 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier，采用 Die 封装。TGA2704-SM
Qorvo · 封装：QFN-22
主要参数包括工作电源电压 9 V、电源电压（最大值） 10 V、工作频率 9～11 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 39 dBm，采用 QFN-22 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。