MAX2686LEWS+T
Maxim Integrated · 封装：WLP-4
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、工作频率 1575.42 MHz、测试频率 1575.42 MHz、技术 SiGe、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） - 10 dBm，采用 WLP-4 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录SE2597L-R
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 2.4～2.5 GHz、测试频率 2.45 GHz、类型 Power Amplifier，采用 QFN-16 封装。SE2574L-R
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-8
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 2.4～2.5 GHz、测试频率 2.4 GHz、类型 Wireless LAN Power Amplifier，采用 QFN-8 封装。SE2568L-R
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-8
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 2.4～2.5 GHz、测试频率 2.4 GHz、类型 Wireless LAN Power Amplifier，采用 QFN-8 封装。SE2598L-R
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 2.4～2.5 GHz、测试频率 2.45 GHz、类型 Power Amplifier，采用 QFN-16 封装。BGU6009/N2X
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 934068191115、单件重量 0.000045 oz。BGA2803,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-363-6
主要参数包括工作电源电压 3 V、电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 0 Hz to 2.2 GHz、测试频率 950 MHz、类型 MMIC Amplifier，采用 SOT-363-6 封装。HMC-APH462-SX
Analog Devices · 封装：RF Amplifier
主要参数包括通道数 1 个通道、单件重量 0.735991 oz，采用 RF Amplifier 封装。SMA3117-TL-H
ON Semiconductor · 封装：MCPH-6
主要参数包括工作电源电压 4.5～5.5 V、工作频率 3 GHz、类型 Wideband Amplifier、增益 31.2 dB、噪声系数（NF） 5 dB、工作电源电流 28 mA，采用 MCPH-6 封装。SMA3107-TL-E
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 2.8 GHz、频率范围 0.1～2.8 GHz、类型 MMIC Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） - 8 dBm，采用 SOT-363-6 封装。BGA2870,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-363-6
主要参数包括工作电源电压 2.3～2.7 V、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作频率 0 Hz to 750 MHz、测试频率 500 MHz、类型 MMIC Amplifier，采用 SOT-363-6 封装。BGA2801,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-363-6
主要参数包括通道数 6 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 250 MHz to 2.15 GHz、测试频率 250 MHz、技术 硅、类型 MMIC Wideband Amplifier，采用 SOT-363-6 封装。BGU7008,115
NXP Semiconductors · 封装：XSON-6
主要参数包括工作电源电压 1.8 V、电源电压（最大值） 2.85 V、电源电压（最小值） 1.5 V、工作频率 1.559～1.61 GHz、测试频率 1.575 GHz、类型 Low Noise Amplifier，采用 XSON-6 封装。BGU6104,147
NXP Semiconductors · 封装：HXSON-6
主要参数包括工作电源电压 1.5～5 V、工作频率 40 MHz to 4 GHz、类型 MMIC Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 6.5 dBm、增益 22.5 dB、噪声系数（NF） 1.1 dB，采用 HXSON-6 封装。BGU8010,115
NXP Semiconductors · 封装：XSON-6
主要参数包括工作电源电压 3.1 V、工作频率 1.6 GHz、频率范围 1559～1610 MHz、技术 硅、类型 MMIC Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） - 9 dBm，采用 XSON-6 封装。CMPA601C025F-TB
Wolfspeed / Cree · 封装：-
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 6～12 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 46.2 dBm，采用 - 封装。BGU7003W,115
NXP Semiconductors · 封装：XSON-6
主要参数包括工作频率 400 MHz to 6 GHz、1 dB 压缩点（P1dB） - 11 dBm、增益 22.5 dB、噪声系数（NF） 1.2 dB、输出三阶截点（OIP3） - 3 dBm、型号别名 934065676115，采用 XSON-6 封装。BGU7044,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-363-6
主要参数包括工作频率 40 MHz to 1 GHz、1 dB 压缩点（P1dB） 13 dBm、增益 14 dB、噪声系数（NF） 2.8 dB、输出三阶截点（OIP3） 29 dBm、型号别名 935296062115，采用 SOT-363-6 封装。SGA8343Z
Qorvo · 封装：SOT-343-4
主要参数包括工作电源电压 4 V、工作频率 DC to 6 GHz、测试频率 1.9 GHz、技术 SiGe、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 9 dBm，采用 SOT-343-4 封装。BGU8H1X
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 934068534115、单件重量 0.000026 oz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。