MAX2615ETA+T
Maxim Integrated · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括型号别名 MAX2615，采用 TDFN-EP-8 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录SKY65971-11
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.8～3.6 V、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 硅、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 15.3 dBm，采用 QFN-6 封装。HMC760LC4B
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2 V、工作频率 DC to 5 GHz、技术 SiGe、类型 Wideband Amplifier、工作电源电流 25 mA, 39 mA, 62 mA, 72 mA，采用 QFN-EP-24 封装。ADL5604ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5.25 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 LFCSP-16 封装。BGA7127,118
NXP Semiconductors · 封装：HVSON-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 400 MHz to 2.7 GHz、类型 MMIC、1 dB 压缩点（P1dB） 28 dBm、增益 12 dB，采用 HVSON-8 封装。ADL5246ACPZN-R7
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、湿敏性 是。BGA7024,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-89-3
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 2.7 GHz、类型 High Linearity Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 24 dBm、增益 15 dB、噪声系数（NF） 4 dB，采用 SOT-89-3 封装。HMC576LC3BTR
Analog Devices / Hittite · 封装：VFQFN-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 18～29 GHz、技术 GaAs，采用 VFQFN-12 封装。HMC960LP4ETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 2 个通道。HMC443LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 4 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 11.2 GHz、频率范围 9.8～11.2 GHz，采用 QFN-24 封装。SA614AD/01,118
NXP Semiconductors · 封装：SO-16
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5 V、工作频率 455 kHz to 25 MHz、增益 62 dB、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SO-16 封装。BGA7027,135
NXP Semiconductors · 封装：SOT-89-3
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 2.7 GHz、类型 High Linearity Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 28 dBm、增益 11 dB、噪声系数（NF） 3.9 dB，采用 SOT-89-3 封装。SKY65900-11
Skyworks Solutions, Inc.
主要参数包括湿敏性 是。HMC-ALH444
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 12 GHz、频率范围 1～12 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 Die 封装。HMC383LC4TR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 12～30 GHz、技术 GaAs、类型 General Purpose Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 16 dBm，采用 QFN-24 封装。MAX2373ETC+T
Maxim Integrated
主要参数包括工作频率 100 MHz to 1 GHz、类型 LNA with Step Attenuator and VGA、噪声系数（NF） 1.8 dB、型号别名 MAX2373。SST12LP14A-QVCE
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 2.4～2.5 GHz、类型 General Purpose Amplifier、增益 29 dB。BGU7033,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-363-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、测试频率 1 GHz，采用 SOT-363-6 封装。BGU8011X
NXP Semiconductors · 封装：XSON-6
主要参数包括工作电源电压 3.1 V、工作频率 1.6 GHz、频率范围 1559～1610 MHz、技术 硅、类型 MMIC Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） - 5 dBm，采用 XSON-6 封装。MAX2614ETA+T
Maxim Integrated · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括型号别名 MAX2614，采用 TDFN-EP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。