MAAL-010200-TR3000
MACOM
RF Amplifier 70-3000MHz NF 1.4dB Gain 11dB按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
MACOM
RF Amplifier 70-3000MHz NF 1.4dB Gain 11dBMACOM · 封装:LGA-9
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 10 MHz to 40 GHz、测试频率 0.1~40 GHz、类型 Wideband Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 13 dBm、增益 13 dB,采用 LGA-9 封装。Analog Devices · 封装:QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V、工作频率 9.5 GHz、频率范围 6~9.5 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier,采用 QFN-32 封装。Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-24
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 100 MHz、测试频率 20 MHz、频率范围 DC to 100 MHz、技术 SiGe,采用 QFN-24 封装。Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-EP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V、工作频率 DC to 20 GHz、技术 GaAs、类型 Modulator Driver、1 dB 压缩点(P1dB) 22 dBm,采用 QFN-EP-32 封装。Skyworks Solutions, Inc. · 封装:QFN-16
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作频率 5.15~5.75 GHz、测试频率 5 GHz、类型 Power Amplifier,采用 QFN-16 封装。Maxim Integrated · 封装:SOT-70-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.2 V、工作频率 315~433 MHz、测试频率 315 MHz,采用 SOT-70-6 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作频率 400~4000 MHz、类型 LNA、1 dB 压缩点(P1dB) 21.8 dBm,采用 LFCSP-8 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5.25 V、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 4.75 V、工作频率 1800~2700 MHz、类型 RF Driver,采用 LFCSP-16 封装。Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、湿敏性 是。Analog Devices / Hittite · 封装:SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 7.5~26.5 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 10 dBm,采用 SOT-89-3 封装。MACOM · 封装:PQFN-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 50 MHz to 1.1 GHz、测试频率 1 GHz、技术 GaAs、类型 Splitter,采用 PQFN-12 封装。Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 BGA524N6E6327XTSA1 SP001088394、单件重量 0.000032 oz。NXP Semiconductors · 封装:HXSON-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作频率 2.4~2.5 GHz、技术 SiGe,采用 HXSON-6 封装。Skyworks Solutions, Inc.
主要参数包括湿敏性 是。Maxim Integrated · 封装:SOT-23-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V, 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作频率 1.5 GHz、测试频率 900 MHz,采用 SOT-23-6 封装。Analog Devices · 封装:SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5 V、工作频率 400~2700 MHz、测试频率 2600 MHz、类型 RF Driver,采用 SOT-89-3 封装。Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 350~550 MHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 21 dBm,采用 QFN-16 封装。Analog Devices / Hittite · 封装:SOT-89-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.4~2.2 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 32.5 dBm,采用 SOT-89-4 封装。Maxim Integrated
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V, 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作频率 1 GHz、测试频率 900 MHz。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。