BGA524N6E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-6
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、工作频率 1550～1615 MHz、技术 SiGe、类型 GNSS、1 dB 压缩点（P1dB） - 12 dBm、增益 19.6 dB，采用 TSNP-6 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MAAM-011101-TR1000
MACOM · 封装：TDFN-6
主要参数包括工作电源电压 5～12 V、工作频率 4～20 GHz、类型 General Purpose Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm、增益 16 dB、噪声系数（NF） 4 dB，采用 TDFN-6 封装。HMC814LC3BTR
Analog Devices / Hittite · 封装：SMT-12
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 24.6 GHz、频率范围 13～24.6 GHz，采用 SMT-12 封装。MMG15241HT1
NXP / Freescale · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 2140 MHz、频率范围 500～2800 MHz、技术 GaAs、类型 MMIC Amplifier，采用 SOT-89-3 封装。HMC368LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 16 GHz、频率范围 4.5～16 GHz，采用 QFN-16 封装。MMZ09332BT1
NXP / Freescale
主要参数包括型号别名 935320715167、单件重量 0.000776 oz。HMC442LC3B
Analog Devices / Hittite · 封装：SMT-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 25.5 GHz、频率范围 17.5～25.5 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 SMT-12 封装。ADL5541ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 20～6000 MHz、类型 Gain Block Amplifier，采用 LFCSP-8 封装。HMC634LC4TR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～20 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 22 dBm，采用 QFN-EP-24 封装。MAX2616ETA+T
Maxim Integrated · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括型号别名 MAX2616、单件重量 0.000511 oz，采用 TDFN-EP-8 封装。HMC598
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 46 GHz、频率范围 22～46 GHz，采用 Die 封装。BGA6130,118
NXP Semiconductors · 封装：HVSON-8
主要参数包括工作电源电压 3.6 V、工作频率 400 MHz to 2.7 GHz、类型 High Efficiency Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 29 dBm、增益 14 dB、噪声系数（NF） 4 dB，采用 HVSON-8 封装。HMC519LC4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 31 GHz、频率范围 18～31 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-24 封装。BGA 824N6 E6327
Infineon Technologies · 封装：TSNP-6
主要参数包括型号别名 BGA824N6E6327XTSA1 SP001079364、单件重量 0.000035 oz，采用 TSNP-6 封装。MML09212HT1
NXP / Freescale · 封装：QFN-12
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 400～1400 MHz、测试频率 900 MHz、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 22.8 dBm、增益 37.5 dB，采用 QFN-12 封装。MMG3006NT1
NXP / Freescale
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 6 V、工作频率 400 MHz to 2.4 GHz、测试频率 900 MHz、类型 General Purpose Amplifier、增益 17.5 dB。MMZ25332BT1
NXP / Freescale · 封装：QFN-EP-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2500 MHz、频率范围 1500～2800 MHz、技术 GaAs、类型 Linear Amplifier，采用 QFN-EP-12 封装。MAX2472EUT+T
Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 500 MHz to 2.5 GHz、测试频率 900 MHz，采用 SOT-23-6 封装。TRF37A73IDSGR
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 1 MHz to 6 GHz、技术 SiGe、类型 Gain Block Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 14.5 dBm，采用 WSON-8 封装。HMC565
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 20 GHz、频率范围 6～20 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。