HMC1040LP3CE
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.5 V、工作频率 43.5 GHz、频率范围 24～43.5 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-16 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC962LC4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 26.5 GHz、频率范围 7.5～26.5 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-24 封装。MW7IC008NT1
NXP / Freescale · 封装：PQFN
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24～32 V、电源电压（最大值） 32 V、电源电压（最小值） 24 V、工作频率 100 MHz to 1 GHz、类型 Power Amplifier，采用 PQFN 封装。HMC465LP5E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 20 GHz、频率范围 DC to 20 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifier，采用 QFN-32 封装。HMC7357LP5GE
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 5.5～8.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 34.5 dBm，采用 QFN-24 封装。MAALSS0042TR-3000
MACOM · 封装：SOIC-8
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 1.575 GHz、测试频率 1.575 GHz、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 1 dBm、噪声系数（NF） 1.15 dB，采用 SOIC-8 封装。HMC490LP5E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 16 GHz、频率范围 12～16 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-32 封装。HMC517LC4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 26 GHz、频率范围 17～26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-24 封装。HMC741ST89E
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-89-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3 GHz、频率范围 0.05～3 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Gain Block Amplifier，采用 SOT-89-4 封装。TRF37D73IDSGR
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括工作频率 1 MHz to 6 GHz、类型 Gain Block Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 16.5 dBm、增益 19.5 dB、噪声系数（NF） 3.2 dB、输出三阶截点（OIP3） 28 dBm，采用 WSON-8 封装。ADL5536ARKZ-R7
Analog Devices · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 20～1000 MHz、测试频率 1000 MHz，采用 SOT-89-3 封装。ADL5545ARKZ-R7
Analog Devices · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 900 MHz、测试频率 1 MHz、类型 Gain Block Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 18.1 dBm，采用 SOT-89-3 封装。BGB 707L7ESD E6327
Infineon Technologies · 封装：TSLP-7-1
主要参数包括工作电源电压 3 V、电源电压（最大值） 4 V、电源电压（最小值） 1.8 V、工作频率 2.3～2.7 GHz、测试频率 1.5 GHz、类型 Low Noise Amplifier，采用 TSLP-7-1 封装。BGA725L6E6327FTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSLP-6
主要参数包括型号别名 725L6 BGA BGA725L6E6327XT E6327 SP000942752、单件重量 0.000035 oz，采用 TSLP-6 封装。AD8351ARMZ
Analog Devices · 封装：MSOP
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电流 28 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 MSOP 封装。HMC575LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 9 GHz、频率范围 6～9 GHz，采用 QFN-24 封装。HMC441LP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 13.5 GHz、频率范围 6.5～13.5 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-16 封装。LMH5401IRMST
Texas Instruments · 封装：UQFN-14
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 3.15 V、工作频率 DC to 2 GHz、技术 硅，采用 UQFN-14 封装。HMC3653LP3BE
Analog Devices / Hittite · 封装：SMT-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 15 GHz、频率范围 7～15 GHz、类型 Gain Block Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 16 dBm，采用 SMT-12 封装。HMC3587LP3BE
Analog Devices / Hittite · 封装：SMT-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 10 GHz、频率范围 4～10 GHz、类型 Gain Block Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 13 dBm，采用 SMT-12 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。