SKY65111-348LF
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 3.5 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作频率 600 MHz to 1.1 GHz、测试频率 902～928 MHz、技术 GaAs InGaP，采用 QFN-16 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ADL5531ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 20～500 MHz、测试频率 380 MHz，采用 LFCSP-8 封装。CMPA0060002F
Wolfspeed / Cree · 封装：0.5 in x 0.5 in
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 20～6000 MHz、测试频率 4 GHz、技术 GaN SiC、类型 RF Power Amplifier，采用 0.5 in x 0.5 in 封装。HMC814LC3B
Analog Devices / Hittite · 封装：SMT-12
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 24.6 GHz、频率范围 13～24.6 GHz，采用 SMT-12 封装。HMC903LP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 17 GHz、频率范围 6～17 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-16 封装。HMC564LC4
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 14 GHz、频率范围 18～29 GHz、技术 GaAs，采用 Die 封装。ADL5544ARKZ-R7
Analog Devices · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 30 MHz to 6 GHz、测试频率 900 MHz、类型 Gain Block Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 17.6 dBm，采用 SOT-89-3 封装。MW7IC915NT1
NXP / Freescale
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 935317147528、单件重量 0.014095 oz。HMC-ALH369
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 40 GHz、频率范围 24～40 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 Die 封装。HMC460
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 20 GHz、频率范围 DC to 20 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier。HMC451
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 20 GHz、频率范围 5～20 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier。HMC460LC5
Analog Devices / Hittite · 封装：SMT-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 DC to 20 GHz、测试频率 18～20 GHz、频率范围 DC to 20 GHz、技术 GaAs，采用 SMT-32 封装。HMC753LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 11 GHz、频率范围 1～11 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-24 封装。HMC441LM1
Analog Devices / Hittite · 封装：SMT-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 15.5 GHz、频率范围 7～15.5 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 SMT-8 封装。HMC635LC4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 40 GHz、频率范围 18～40 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifier，采用 QFN-24 封装。CMPA2560025F
Wolfspeed / Cree · 封装：12.83 mm x 12.83 mm x 4.12 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2.5～6 GHz、测试频率 2.5～6 GHz、技术 GaN SiC、类型 RF Power Amplifier，采用 12.83 mm x 12.83 mm x 4.12 mm 封装。HMC383LC4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 30 GHz、频率范围 12～30 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-24 封装。HMC634LC4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 20 GHz、频率范围 5～20 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifier，采用 QFN-24 封装。HMC441LC3BTR
Analog Devices / Hittite · 封装：SMT-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 18 GHz、频率范围 6～18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 SMT-12 封装。HMC451LC3
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 20 GHz、频率范围 5～20 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。