ADL5324ARKZ-R7
Analog Devices · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 3.15 V、工作频率 400～4000 MHz、测试频率 3600 MHz，采用 SOT-89-3 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录SKY65404-31
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-6
主要参数包括工作电源电压 2.8～5 V、工作频率 4.9～5.9 GHz、类型 Low Noise Amplifier、增益 16 dB、噪声系数（NF） 1.5 dB、工作电源电流 10 mA，采用 QFN-6 封装。HMC635
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 40 GHz、频率范围 18～40 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifier。HMC608LC4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 11.5 GHz、频率范围 9.5～11.5 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-24 封装。HMC564LC4TR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 14 GHz、频率范围 7～14 GHz、技术 GaAs，采用 QFN-24 封装。MAX2640EUT+T
Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 300 MHz to 1.5 GHz、测试频率 900 MHz，采用 SOT-23-6 封装。BGU8007,115
NXP Semiconductors · 封装：XSON-6
主要参数包括工作电源电压 1.8 V、电源电压（最大值） 2.5 V、电源电压（最小值） 1.5 V、工作频率 1.559～1.61 GHz、测试频率 1.575 GHz、类型 Low Noise Amplifier，采用 XSON-6 封装。BGB707L7ESDE6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSLP-7
主要参数包括型号别名 707L7ESD BGB BGB77L7ESDE6327XT E6327 SP000531308，采用 TSLP-7 封装。HMC903LP3ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 6～17 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 13 dBm，采用 QFN-16 封装。HMC516
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 17 GHz、频率范围 7～17 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier。MBC13720NT1
NXP / Freescale · 封装：SOT-363-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.75 V、电源电压（最大值） 3 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作频率 400 MHz to 2.4 GHz、测试频率 2.4 GHz，采用 SOT-363-6 封装。HMC634
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 20 GHz、频率范围 5～20 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifier。AD8352ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 LFCSP-16 封装。ADL5566ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 2.8～5.2 V、电源电压（最大值） 5.2 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作频率 10～1000 MHz、测试频率 200 MHz，采用 LFCSP-24 封装。HMC573LC3B
Analog Devices / Hittite · 封装：SMT-12
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 22 GHz、频率范围 8～22 GHz，采用 SMT-12 封装。HMC464
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 20 GHz、频率范围 2～20 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier。BGA3018,115
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 935295453115、单件重量 0.001466 oz。HMC576LC3B
Analog Devices / Hittite · 封装：SMT-12
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 29 GHz、频率范围 18～29 GHz，采用 SMT-12 封装。HMC751LC4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 27 GHz、频率范围 17～27 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-24 封装。MAX2650EUS+T
Maxim Integrated · 封装：SOT-143-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 1 GHz、测试频率 900 MHz，采用 SOT-143-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。