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型号列表

20,447 条型号记录
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TGA4030-SM

Qorvo · 封装:QFN-16

主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 17~37 GHz、测试频率 17~37 GHz、类型 Power Amplifier,采用 QFN-16 封装。

TGA4533-SM

Qorvo · 封装:QFN-EP-20

主要参数包括工作电源电压 6 V、工作频率 21.2~23.6 GHz、类型 K-Band Power Amplifier、噪声系数(NF) 6 dB、工作电源电流 880 mA、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-EP-20 封装。

TAT6254B

Qorvo · 封装:QFN-EP-20

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 12 V、工作频率 47 MHz to 1 GHz、测试频率 553.25 MHz、类型 RF Amplifier、增益 38 dB,采用 QFN-EP-20 封装。

HMC788ALP2ETR

Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-16

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 DC to 10 GHz、技术 GaAs、类型 Gain Block MMIC Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 20 dBm,采用 QFN-16 封装。

TQM8M9079

Qorvo · 封装:5 mm x 5 mm

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 0.5~5 V、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 0.5 V、工作频率 500 MHz to 2.7 GHz、测试频率 2.1 GHz,采用 5 mm x 5 mm 封装。

TQL9042

Qorvo · 封装:DFN-10

主要参数包括工作频率 500~2000 MHz、类型 Gain Block Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 23 dBm、增益 19 dB、噪声系数(NF) 0.42 dB、输出三阶截点(OIP3) 36 dBm,采用 DFN-10 封装。

TGA2535-SM

Qorvo · 封装:QFN-24

主要参数包括工作电源电压 6 V、工作频率 10~12 GHz、类型 X-Band Power Amplifier、噪声系数(NF) 10 dB、工作电源电流 1.3 A、型号别名 1081731,采用 QFN-24 封装。

HMC636ST89ETR

Analog Devices / Hittite · 封装:SOT-89-4

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.2~4 GHz、技术 GaAs、类型 High Linearity, Low Noise Gain Block Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 22 dBm,采用 SOT-89-4 封装。

MML20211HT1

NXP / Freescale · 封装:DFN-2x2

主要参数包括工作电源电压 6 V、工作频率 1.4~2.8 GHz、噪声系数(NF) 0.85 dB、工作电源电流 200 mA、最大工作温度 + 150 C、型号别名 935310812147,采用 DFN-2x2 封装。

TAT7430B

Qorvo · 封装:SOT-89-3

主要参数包括工作电源电压 8 V、电源电压(最大值) 8 V、电源电压(最小值) 5 V、工作频率 50~1002 MHz、测试频率 DC to 1200 MHz、技术 GaAs,采用 SOT-89-3 封装。

TQL9063

Qorvo · 封装:DFN-8

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1.5~4 GHz、测试频率 1.95 GHz、类型 Ultra-Low Noise Bypass LNA、1 dB 压缩点(P1dB) 21.2 dBm,采用 DFN-8 封装。

ADL5561ACPZ-R7

Analog Devices · 封装:LFCSP-16

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 LFCSP-16 封装。

ADL5240ACPZ-R7

Analog Devices · 封装:LFCSP-32

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5.25 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、工作频率 4000 MHz、类型 Digital Variable Gain Amplifier,采用 LFCSP-32 封装。

TQP7M9102

Qorvo · 封装:SOT-89-3

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、工作频率 400 MHz to 4 GHz、测试频率 2.14 GHz,采用 SOT-89-3 封装。

HMC415LP3E

Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-16

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 5.9 GHz、频率范围 4.9~5.9 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 RF Amplifier,采用 QFN-16 封装。

TQM879028TR13

Qorvo · 封装:4 mm x 4 mm

主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 0.7~4 GHz、测试频率 2140 MHz、类型 Digital Variable Gain Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 27.5 dBm、增益 32 dB,采用 4 mm x 4 mm 封装。

ADL5202ACPZ-R7

Analog Devices · 封装:LFCSP-40

主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 4.5~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 700 MHz、测试频率 140 MHz,采用 LFCSP-40 封装。

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