TGA2524-SM
Qorvo · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 12～16 GHz、类型 Power Amplifier、噪声系数（NF） 7 dB、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 QFN-16 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录S10040220GT
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、测试频率 1 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier、增益 23.5 dB。S10040200P
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、测试频率 1 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier、增益 21.5 dB。MMZ25333BT1
NXP / Freescale · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2.6 GHz、频率范围 1.5～2.7 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 High Gain Power Amplifier，采用 QFN-24 封装。TQM879026TR13
Qorvo · 封装：4 mm x 4 mm
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 0.7～4 GHz、测试频率 2140 MHz、类型 Digital Variable Gain Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 24 dBm、增益 32 dB，采用 4 mm x 4 mm 封装。TQP9109
Qorvo · 封装：QFN-20
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2.7 GHz、频率范围 1.8～2.7 GHz、技术 硅、类型 Linear Amplifier，采用 QFN-20 封装。TQP7M9105
Qorvo · 封装：SOT-89-3
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作频率 50 MHz to 1.5 GHz、测试频率 940 MHz、类型 High Linearity Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 30 dBm，采用 SOT-89-3 封装。TQP7M9103
Qorvo · 封装：SOT-89-3
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 4 GHz、类型 High Linearity Amplifier、噪声系数（NF） 4.4 dB、工作电源电流 235 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 SOT-89-3 封装。HMC740ST89ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.05～3 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT Gain Block、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm，采用 QFN-24 封装。TQP3M9040
Qorvo · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 1500～2300 MHz、测试频率 1950 MHz、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 20.8 dBm、增益 18 dB，采用 QFN-16 封装。TAT6254C
Qorvo · 封装：QFN-20
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 1074825，采用 QFN-20 封装。MAX2067ETL+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-40
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 50 MHz to 1 GHz、测试频率 350 MHz、类型 General Purpose Amplifier，采用 TQFN-40 封装。TGA2611-SM
Qorvo · 封装：QFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 10 V、工作频率 2～6 GHz、技术 GaN SiC、类型 C-Band Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm、增益 22 dB，采用 QFN-EP-20 封装。TGA2598-SM
Qorvo · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 25 V、工作频率 6～12 GHz、测试频率 9 GHz、技术 GaN SiC、类型 Driver Amplifier，采用 QFN-24 封装。TGA2599-SM
Qorvo · 封装：QFN-20
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 25 V、电源电压（最大值） 40 V、工作频率 5～8 GHz、测试频率 8 GHz、技术 GaN SiC，采用 QFN-20 封装。TQP0104
Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 1115382。HMC6981LS6
Analog Devices / Hittite · 封装：LQFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 20 GHz、频率范围 15～20 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 LQFN-16 封装。TGA4536-SM
Qorvo · 封装：QFN-28
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 24.2～26.5 GHz、技术 硅、类型 K-Band Amplifier、增益 18 dB，采用 QFN-28 封装。TQP0103
Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 1115378。TGA4535-SM
Qorvo · 封装：QFN-28
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 21.2～23.6 GHz、技术 硅、类型 K-Band Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 32 dBm，采用 QFN-28 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。