HMC451LP3ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：LFCSP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 18 GHz、频率范围 5～18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 LFCSP-16 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC659
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 15 GHz、频率范围 DC to 15 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier。MAX2235EUP+
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-20
主要参数包括工作电源电压 3.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 800 MHz to 1 GHz、测试频率 900 MHz、类型 Power Amplifier，采用 TSSOP-20 封装。HMC460LC5TR
Analog Devices / Hittite · 封装：SMT-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 DC to 20 GHz、测试频率 18～20 GHz、频率范围 9～18 GHz、技术 GaAs，采用 SMT-32 封装。ADA4961ACPZN-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3～5 V、工作频率 3.2 GHz、测试频率 2 GHz、类型 Low Distortion、1 dB 压缩点（P1dB） 17 dBm，采用 LFCSP-24 封装。HMC441LP3ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 13.5 GHz、频率范围 6.5～13.5 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-EP-16 封装。BGB 741L7ESD E6327
Infineon Technologies · 封装：TSLP-7-1
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、电源电压（最大值） 4 V、电源电压（最小值） 1.8 V、工作频率 50 MHz to 5.5 GHz、测试频率 1.5 GHz，采用 TSLP-7-1 封装。TGA2595
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 20 V、电源电压（最大值） 22 V、工作频率 27.5～31 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 39.5 dBm。CMPA0060025F
Wolfspeed / Cree · 封装：0.5 in x 0.5 in
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 20～6000 MHz、测试频率 20～6000 MHz、技术 GaN SiC、类型 RF Power Amplifier，采用 0.5 in x 0.5 in 封装。HMC465
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 20 GHz、频率范围 DC to 20 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifier。TGA2237-SM
Qorvo · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 32 V、电源电压（最小值） 20 V、工作频率 2.5 GHz、频率范围 0.03～2.5 GHz、技术 GaN SiC，采用 QFN-32 封装。TGA2567-SM
Qorvo · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作频率 2～20 GHz、技术 GaAs、类型 General Purpose Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 19 dBm，采用 QFN-24 封装。TGA2701-SM
Qorvo · 封装：QFN-EP-28
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 8.5 GHz、频率范围 5.9～8.5 GHz、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 34 dBm，采用 QFN-EP-28 封装。MW7IC930NBR1
NXP / Freescale
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 935319503528、单件重量 0.067454 oz。A2I25D025NR1
NXP / Freescale · 封装：TO-270WB-17
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2.9 GHz、频率范围 2.1～2.9 GHz、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 43.8 dBm，采用 TO-270WB-17 封装。TGA2597-SM
Qorvo · 封装：QFN-20
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 25 V、工作频率 2～6 GHz、技术 GaN SiC、类型 Driver Amplifier、增益 24 dB，采用 QFN-20 封装。TGA2731-SM
Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 1119745。ADRF6516ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 3.15～3.45 V、电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、工作频率 31 MHz、测试频率 1 MHz，采用 LFCSP-32 封装。ADRF6518ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 300～1100 MHz、技术 硅、类型 Variable Gain Amplifier、工作电源电流 400 mA，采用 LFCSP-32 封装。HMC606LC5
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 18 GHz、频率范围 2～18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。