HMC637ALP5E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 12 V、工作频率 DC to 6 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 29 dBm，采用 QFN-32 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC902LP3ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 5～10 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 16 dBm，采用 QFN-16 封装。HMC902LP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 10 GHz、频率范围 5～10 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-16 封装。SKY65405-21
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：DFN-6
主要参数包括单件重量 0.000744 oz，采用 DFN-6 封装。SE2565T-R
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.9 V、工作频率 2.4～2.5 GHz、测试频率 2.4 GHz、类型 Power Amplifier，采用 QFN-16 封装。SE2576L-R
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 2.4～2.5 GHz、测试频率 2.4 GHz、类型 Wireless LAN Power Amplifier，采用 QFN-16 封装。SKY65450-92LF
Skyworks Solutions, Inc.
RF Amplifier 40-1000Mhz CTAV LNA with BypassMAX2686EWS+T
Maxim Integrated · 封装：WLP-4
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、工作频率 1575.42 MHz、测试频率 1575.42 MHz、技术 SiGe、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） - 10 dBm，采用 WLP-4 封装。ISL55012IEZ-T7
Renesas / Intersil · 封装：SC-70-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 2400 MHz、类型 General Purpose Amplifier，采用 SC-70-6 封装。AG201-63G
Qorvo · 封装：SOT-363-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、电源电压（最大值） 4.5 V、工作频率 0 Hz to 6 GHz、测试频率 900 MHz、技术 GaAs InGaP，采用 SOT-363-6 封装。AG203-63G
Qorvo · 封装：SOT-363-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.1 V、电源电压（最大值） 4.5 V、工作频率 0 Hz to 6 GHz、测试频率 900 MHz、技术 GaAs InGaP，采用 SOT-363-6 封装。SST12LP20-QUAE
Microchip Technology · 封装：uSON-8
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、工作频率 2.4 GHz、频率范围 2412～2484 MHz、技术 GaAs InGaP、类型 High Gain Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 24 dBm，采用 uSON-8 封装。ISL55015IEZ-T7
Renesas / Intersil · 封装：SC-70-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 2.9 GHz、测试频率 2 GHz，采用 SC-70-6 封装。ISL55014IEZ-T7
Renesas / Intersil · 封装：SC-70-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 2.75 GHz、测试频率 2 GHz，采用 SC-70-6 封装。MAX2692EWS+T
Maxim Integrated · 封装：WLP-4
主要参数包括型号别名 MAX2692、单件重量 0.000035 oz，采用 WLP-4 封装。MAX2667EWT+T
Maxim Integrated · 封装：WLP-6
主要参数包括型号别名 MAX2667、单件重量 0.000052 oz，采用 WLP-6 封装。MBC13916NT1
NXP / Freescale · 封装：SOT-343-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 100 MHz to 2.5 GHz、测试频率 900 MHz，采用 SOT-343-4 封装。BGU6102,147
NXP Semiconductors · 封装：HXSON-6
主要参数包括工作电源电压 1.5～5 V、工作频率 40 MHz to 4 GHz、类型 MMIC Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 0 dBm、增益 18.5 dB、噪声系数（NF） 1.2 dB，采用 HXSON-6 封装。BGM15MA12E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SLP-12
主要参数包括工作电源电压 3 V、工作频率 1.7～2.2 GHz、类型 Mid Band、1 dB 压缩点（P1dB） - 10 dBm、增益 16.7 dB、噪声系数（NF） 1.15 dB，采用 SLP-12 封装。BGU7004,115
NXP Semiconductors · 封装：XSON-6
主要参数包括工作电源电压 1.8 V、电源电压（最大值） 2.85 V、电源电压（最小值） 1.5 V、工作频率 1.559～1.61 GHz、测试频率 1.575 GHz、类型 Low Noise Amplifier，采用 XSON-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。