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Infineon Technologies · 封装:TSNP-6-2
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.5~3.3 V、工作频率 70~1000 MHz、测试频率 470 MHz、技术 硅、类型 Broadband Low Noise,采用 TSNP-6-2 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Infineon Technologies · 封装:TSNP-6-2
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.5~3.3 V、工作频率 70~1000 MHz、测试频率 470 MHz、技术 硅、类型 Broadband Low Noise,采用 TSNP-6-2 封装。NXP / Freescale · 封装:QFN-EP-24
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 7.5 V、工作频率 1.8 MHz to 1 GHz、测试频率 520 MHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 30 dBm,采用 QFN-EP-24 封装。NXP / Freescale · 封装:DFN-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1~4 GHz、测试频率 2.6 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier,采用 DFN-8 封装。Skyworks Solutions, Inc.
RF Amplifier 2.4GHz Pout 24dBm Gain 24dB maxMicrochip / Microsemi · 封装:Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 500 MHz to 12 GHz、技术 GaAs、类型 MMIC、1 dB 压缩点(P1dB) 17 dBm,采用 Die 封装。NXP / Freescale · 封装:QFN-24
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 7.5 V、工作频率 1.8~1000 MHz、测试频率 520 MHz、类型 High Gain Amplifier、增益 32.2 dB,采用 QFN-24 封装。Microchip / Microsemi · 封装:Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 500 MHz to 12 GHz、技术 GaAs、类型 MMIC、1 dB 压缩点(P1dB) 16 dBm,采用 Die 封装。Skyworks Solutions, Inc. · 封装:MCM-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 850~900 MHz、测试频率 880 MHz、技术 硅、类型 Power Amplifier,采用 MCM-16 封装。Microchip / Microsemi
RF Amplifier DC-30 GHz MMIC Amplifier 22dBmInfineon Technologies · 封装:SOT-343-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 900 MHz、测试频率 900 MHz、技术 SiGe、类型 High Gain Driver Amplifier,采用 SOT-343-4 封装。Microchip / Microsemi · 封装:Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 11 V、工作频率 DC to 8 GHz、测试频率 DC to 8 GHz、技术 GaAs、类型 Distributed,采用 Die 封装。Microchip / Microsemi · 封装:Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V、工作频率 DC to 28 GHz、测试频率 12~20 GHz、技术 GaAs、类型 MMIC,采用 Die 封装。Microchip / Microsemi
RF Amplifier 5-20GHz MMIC Amplifier w/Int BiasMicrochip / Microsemi · 封装:Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 6~18 GHz、技术 GaAs、类型 MMIC、1 dB 压缩点(P1dB) 17 dBm,采用 Die 封装。Skyworks Solutions, Inc. · 封装:MCM-28
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 758~803 MHz、测试频率 0.7805 GHz、技术 硅、类型 Linear Power Amplifier,采用 MCM-28 封装。Skyworks Solutions, Inc. · 封装:MCM-28
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 1805~1880 MHz、测试频率 1.8425 GHz、技术 硅、类型 Linear Power Amplifier,采用 MCM-28 封装。Maxim Integrated · 封装:QFN-80
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 + 1.8 V、工作频率 698 MHz to 2.7 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier Linearizer、增益 10 dB,采用 QFN-80 封装。Wolfspeed / Cree · 封装:-
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 6~12 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 46.2 dBm,采用 - 封装。Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 1066838。Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 20 GHz、频率范围 2~20 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。