A3I35D025WNR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270WB-17
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 3200～4000 MHz、测试频率 3800 MHz、类型 Wideband、增益 28.9 dB，采用 TO-270WB-17 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录SKY66294-11
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：MCM-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2000～2300 MHz、测试频率 2140 MHz、技术 硅、类型 Power Amplifier，采用 MCM-16 封装。SKY66292-11
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：MCM-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2300～2400 MHz、测试频率 2350 MHz、技术 硅、类型 Power Amplifier，采用 MCM-16 封装。GRF4042
Guerrilla RF · 封装：QFN-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.8～5 V、工作频率 400 MHz to 2.7 GHz、测试频率 1.9 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier with Bypass and Guerrilla Armor，采用 QFN-12 封装。GRF2004
Guerrilla RF · 封装：DFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7～5 V、工作频率 100 MHz to 10 GHz、测试频率 5.5 GHz、技术 GaAs、类型 Broadband Gain Block，采用 DFN-6 封装。GRF5109
Guerrilla RF · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.4～1.5 GHz、测试频率 0.9 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 QFN-16 封装。MAAP-011246-1SMB
MACOM
RF Amplifier 27.5-31.5GHz Eval BoardHMC906A-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 27.3～33.5 GHz、测试频率 31.5～33.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 Die 封装。MAAM-011240-TR1000
MACOM · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～1218 MHz、测试频率 1218 MHz、类型 Differential RF Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 25 dBm，采用 SOIC-8 封装。HMC392A-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3.5～7 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 19 dBm，采用 Die 封装。GRF2003
Guerrilla RF · 封装：DFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7～5 V、工作频率 100 MHz to 10 GHz、测试频率 5.5 GHz、技术 GaAs、类型 Broadband Gain Block，采用 DFN-6 封装。GRF2100
Guerrilla RF · 封装：DFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.8～5 V、工作频率 0.1～3.8 GHz、测试频率 2500 MHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier，采用 DFN-6 封装。GRF2105
Guerrilla RF · 封装：DFN-6
主要参数包括单件重量 0.000141 oz，采用 DFN-6 封装。MAAM-011229-TR1000
MACOM · 封装：PDFN-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.05～4 GHz、测试频率 0.05～3.25 GHz、技术 硅、类型 Broadband Low Noise Amplifier，采用 PDFN-8 封装。TGA2218
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 13.4～16.5 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、增益 23 dB，采用 Die 封装。TGA2958-SM
Qorvo · 封装：QFN-14
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 20 V、工作频率 13～18 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 General Purpose Amplifier、增益 25 dB，采用 QFN-14 封装。QPA1011
Qorvo · 封装：4.5 mm x 5 mm x 1.72 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 7.9～11 GHz、测试频率 11 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier，采用 4.5 mm x 5 mm x 1.72 mm 封装。TGA2527-SM
Qorvo · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 12.5～15.5 GHz、技术 硅、类型 Ku-Band Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 30 dBm，采用 QFN-24 封装。QPA9419
Qorvo · 封装：SMD-14
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5 V、工作频率 1.93～1.99 GHz、测试频率 1.96 GHz、类型 High Linearity 2-Stage Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 36 dBm，采用 SMD-14 封装。QPB7464SR
Qorvo · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 50～2600 MHz、技术 GaAs、类型 pHEMT RF Amplifier、增益 11.5 dBm，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。