HMC8500PM5E
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 0.01～2.8 GHz、测试频率 1.3～2.8 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier，采用 LFCSP-32 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录GRF2052
Guerrilla RF · 封装：QFN-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7～6 V、工作频率 1.5～4.5 GHz、测试频率 2.5 GHz、技术 GaAs、类型 Ultra-Low Noise Amplifier，采用 QFN-12 封装。GRF2710
Guerrilla RF · 封装：DFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～8 V、工作频率 8～13 GHz、测试频率 11 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier，采用 DFN-6 封装。GRF4005
Guerrilla RF · 封装：DFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.8～5.5 V、工作频率 100 MHz to 3.8 GHz、测试频率 2.5 GHz、技术 GaAs、类型 Broadband LNA/Linear Driver，采用 DFN-6 封装。GRF2083
Guerrilla RF · 封装：DFN-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3～6 GHz、测试频率 3.6 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier，采用 DFN-8 封装。QPA1003D
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 1～8 GHz、测试频率 8 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier，采用 Die 封装。TGA2963
Qorvo · 封装：6.85 mm x 5.4 mm x 0.1 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 20 V、工作频率 6～18 GHz、测试频率 12 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier，采用 6.85 mm x 5.4 mm x 0.1 mm 封装。HMC1099PM5E
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 0.01～1.1 GHz、测试频率 0.7～1.1 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier，采用 LFCSP-32 封装。QPA4363CTR7
Qorvo
主要参数包括型号别名 QPA4363C。TQP9224SR
Qorvo · 封装：SMD-14
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5 V、工作频率 2.3～2.4 GHz、测试频率 2.35 GHz、类型 3-Stage Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 33.6 dBm，采用 SMD-14 封装。HMC392A
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3.5～7 GHz、测试频率 3.5～7 GHz、技术 GaAs、类型 MMIC Low Noise Amplifier，采用 Die 封装。HMC906A
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 27.3～33.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 33.5 dBm，采用 Die 封装。RFFM4527TR7
Qorvo · 封装：DFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 4.9～5.925 GHz、测试频率 5900 MHz、类型 WiFi、1 dB 压缩点（P1dB） 8 dBm，采用 DFN-6 封装。HMC907A-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10 V、工作频率 0.2～22 GHz、测试频率 16～22 GHz、技术 GaAs、类型 Linear Power Amplifier，采用 Die 封装。QPA2628D
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 31 GHz、频率范围 25～31 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier，采用 Die 封装。TGA2219
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 13.4～16.5 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、增益 27 dB，采用 Die 封装。GRF2081
Guerrilla RF · 封装：DFN-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1.4～2.7 GHz、测试频率 1.9 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier，采用 DFN-8 封装。BGA855N6E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.1～3.3 V、工作频率 1164～1300 MHz、测试频率 1214 MHz、技术 SiGe、类型 LNA，采用 TSNP-6 封装。HMC1144-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 85 C，采用 Die 封装。HMC5805ALS6TR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。