QPA2626
Qorvo · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 22 GHz、频率范围 17～22 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier，采用 QFN-16 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录TGA4544-SM
Qorvo · 封装：QFN-26
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 26～31 GHz、技术 硅、类型 Ka-Band Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 31 dBm，采用 QFN-26 封装。MAAP-118260
MACOM · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17.7～26.5 GHz、测试频率 24～26.5 GHz、类型 Linear Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 28.5 dBm，采用 QFN-24 封装。QPA3320
Qorvo · 封装：SOT-115J-9
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 40～1003 MHz、技术 GaAs GaN、类型 Hybrid Push-Pull Amplifier、增益 34.5 dB，采用 SOT-115J-9 封装。ADL5205ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-40
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 3.3 V/5 V、工作频率 1.7 GHz、测试频率 500 MHz、技术 SiGe、类型 Dual Gain Amplifier (DGA)，采用 LFCSP-40 封装。QPA9426TR13
Qorvo · 封装：SMD-14
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5 V、工作频率 2.5～2.7 GHz、测试频率 2.6 GHz、类型 High Linearity Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 35.5 dBm，采用 SMD-14 封装。NBB-312-T1
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.6 V、工作频率 DC to 12 GHz、测试频率 8～12 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT MMIC Amplifier。RFPA5201ETR13
Qorvo
主要参数包括型号别名 RFPA5201E。QPA3240
Qorvo · 封装：SOT-115J-9
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 45～1218 MHz、测试频率 1000～1218 MHz、技术 GaAs GaN、类型 Power Doubler Hybrid，采用 SOT-115J-9 封装。QPA3230
Qorvo · 封装：SOT-115J-9
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 45～1218 MHz、测试频率 1000～1218 MHz、技术 GaAs GaN、类型 Power Doubler Hybrid，采用 SOT-115J-9 封装。HMC994A-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10 V、工作频率 DC to 30 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 27.5 dBm，采用 Die 封装。TGA2590-CP
Qorvo · 封装：15.24 mm x 15.24 mm x 3.5 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 20～25 V、工作频率 6～12 GHz、技术 GaN SiC、类型 Wideband Power Amplifier、增益 35 dB，采用 15.24 mm x 15.24 mm x 3.5 mm 封装。TGA2239-CP
Qorvo
主要参数包括型号别名 1117635。TGA2624
Qorvo · 封装：5 mm x 2.62 mm x 0.1 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 9～10 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 38 dBm，采用 5 mm x 2.62 mm x 0.1 mm 封装。TGA2963-CP
Qorvo · 封装：15.2 mm x 15.2 mm x 3.5 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 20 V、工作频率 6～18 GHz、技术 GaN SiC、类型 GaN Power Amplifier、增益 24 dB，采用 15.2 mm x 15.2 mm x 3.5 mm 封装。TGA2622-SM
Qorvo · 封装：QFN-22
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 9～10 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、增益 30 dB，采用 QFN-22 封装。TGA2214-CP
Qorvo · 封装：15.2 mm x 15.2 mm x 3.5 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 22 V、工作频率 2～18 GHz、技术 GaN SiC、类型 Wideband Power Amplifier、增益 22 dB，采用 15.2 mm x 15.2 mm x 3.5 mm 封装。QPA1000
Qorvo · 封装：7 mm x 7 mm x 0.85 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 25 V、工作频率 2.8～3.2 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、增益 22 dB，采用 7 mm x 7 mm x 0.85 mm 封装。TGA2219-CP
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 13.4～16.5 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、增益 28 dB。TGA2514N-FL
Qorvo · 封装：11.379 mm x 17.323 mm x 3.048 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 13～16 GHz、技术 GaAs、类型 Ku-Band Amplifier、增益 24 dB，采用 11.379 mm x 17.323 mm x 3.048 mm 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。