TQL9092
Qorvo · 封装：DFN-EP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3～5 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3.3 V、工作频率 600 MHz to 4.2 GHz、测试频率 2600 MHz，采用 DFN-EP-8 封装。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录GRF2140
Guerrilla RF · 封装：DFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7～5 V、工作频率 0.1～3.8 GHz、测试频率 1.95 GHz、技术 GaAs、类型 Low Current LNA，采用 DFN-6 封装。GRF2374
Guerrilla RF · 封装：DFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7～5 V、工作频率 0.1～3.8 GHz、测试频率 2.4 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Low Current LNA，采用 DFN-6 封装。GRF2373
Guerrilla RF · 封装：DFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.8～5 V、工作频率 0.1～3.8 GHz、测试频率 1900 MHz、技术 GaAs InGaP、类型 Low Current LNA，采用 DFN-6 封装。HMC998A-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10～15 V、工作频率 0.1～22 GHz、测试频率 18～22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 Die 封装。QPB9015SR
Qorvo · 封装：MCM-28
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 45～1218 MHz、技术 硅、类型 Video Receiver、增益 37 dB，采用 MCM-28 封装。TGA2573-2-TS
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 30 V、工作频率 2～18 GHz、技术 GaN SiC、类型 Wideband、增益 10 dB，采用 Die 封装。QPB9010SR
Qorvo · 封装：MCM-28
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 45～1218 MHz、技术 硅、类型 Video Receiver、增益 37 dB，采用 MCM-28 封装。QPA3223
Qorvo · 封装：SOT-115J-7
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 1003 MHz、测试频率 45 MHz, 1003 MHz、技术 GaAs GaN、类型 Hybrid Power Doubler Amplifier，采用 SOT-115J-7 封装。QPB8857SR
Qorvo · 封装：QFN-40
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 47～1218 MHz、测试频率 1218 MHz、技术 GaAs、类型 Doubler RF Amplifier，采用 QFN-40 封装。QPL9057TR7
Qorvo · 封装：DFN-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.6～4.2 GHz、测试频率 3500 MHz、类型 Flat Gain Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 17 dBm，采用 DFN-8 封装。MAAM-011251-TR1000
MACOM · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～1218 MHz、测试频率 45～1218 MHz、类型 CATV Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm，采用 SOT-89-3 封装。MAAM-011162-TR1000
MACOM · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～1218 MHz、测试频率 45～1218 MHz、类型 CATV Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 19 dBm，采用 SOT-89-3 封装。ADPA7001CHIPS-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 50～95 GHz、测试频率 90～95 GHz、技术 GaAs、类型 Wideband Power Amplifier，采用 Die 封装。HMC1022ACHIPS
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10 V、工作频率 DC to 48 GHz、测试频率 40～48 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 Die 封装。MAAL-011139-TR1000
MACOM · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～5 V、工作频率 5～4000 MHz、测试频率 45～1218 MHz、技术 硅、类型 Low Noise Amplifier，采用 SOT-89-3 封装。MAAM-011163-TR1000
MACOM · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～1218 MHz、测试频率 45～1218 MHz、类型 Differential RF Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 25 dBm，采用 SOIC-8 封装。MAAM-011258-TR1000
MACOM · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～1218 MHz、测试频率 45～1218 MHz、类型 CATV Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm，采用 SOT-89-3 封装。RFGA2044TR13
Qorvo · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 50 MHz to 3 GHz、测试频率 2.65 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT MMIC Amplifier，采用 SOT-89-3 封装。RFPA5542TR13
Qorvo · 封装：QFN-20
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 4.9～5.925 GHz、技术 硅、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 33 dBm，采用 QFN-20 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。