QPA2308
Qorvo · 封装：0.6 in x 0.6 in x 0.138 in
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 5～6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 MMIC Power Amplifier、增益 30.5 dB，采用 0.6 in x 0.6 in x 0.138 in 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录QPA1009D
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 20 V、工作频率 10.7～12.7 GHz、测试频率 12.7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Wide Band，采用 Die 封装。QPA3069
Qorvo · 封装：7 mm x 7 mm x 0.85 mm
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 30 V、工作频率 2.7～3.5 GHz、测试频率 3.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 S-Band，采用 7 mm x 7 mm x 0.85 mm 封装。QPA2308D
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 5～6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 MMIC Power Amplifier、增益 21 dB, 30.8 dB, 32.3 dB, 30.3 dB，采用 Die 封装。QPA2213
Qorvo · 封装：4.5 mm x 4.5 mm x 1.74 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 18 V、工作频率 2～20 GHz、测试频率 20 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Wide Band，采用 4.5 mm x 4.5 mm x 1.74 mm 封装。QPA1027
Qorvo · 封装：QFN-28
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 50 V、工作频率 2.8～3.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、增益 31 dB，采用 QFN-28 封装。HMC8411TCPZ-EP-PT
Analog Devices · 封装：LFCSP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 10 MHz to 10 GHz、测试频率 6～10 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier，采用 LFCSP-6 封装。QPA3250
Qorvo · 封装：SOT-115J
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24～34 V、工作频率 45～1218 MHz、测试频率 1218 MHz、技术 GaAs GaN、类型 CATV Power Doubler Amplifier，采用 SOT-115J 封装。HMC8411LP2FE
Analog Devices · 封装：LFCSP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.01～10 GHz、测试频率 6～10 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier，采用 LFCSP-6 封装。QPB8958TR13
Qorvo · 封装：QFN-40 5x7
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 50～1003 MHz、测试频率 1003 MHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier，采用 QFN-40 5x7 封装。TGM2635-CP
Qorvo · 封装：19.05 mm x 19.05 mm x 4.52 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 7.9～11 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、增益 26 dB，采用 19.05 mm x 19.05 mm x 4.52 mm 封装。QPM1000
Qorvo · 封装：QFN-18
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2～20 GHz、测试频率 20 GHz、技术 GaAs、类型 Limiter/Low Noise Amplifier，采用 QFN-18 封装。A2I09VD050NR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270WB-15
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 48 V、工作频率 575～960 MHz、测试频率 920～960 MHz、类型 RF LDMOS Wideband、增益 36.5 dB，采用 TO-270WB-15 封装。TQP9111
Qorvo · 封装：QFN-20
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1.8～2.7 GHz、测试频率 2.14 GHz、技术 硅、类型 Power Amplifier，采用 QFN-20 封装。NBB-400-T1
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.9 V、工作频率 DC to 8 GHz、测试频率 6～8 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT MMIC Amplifier。RFPA3800TR13
Qorvo · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V、工作频率 150～960 MHz、测试频率 945 MHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 SOIC-8 封装。HMC7950LS6
Analog Devices · 封装：LCC-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～7 V、工作频率 2～28 GHz、测试频率 18～18 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier，采用 LCC-16 封装。NBB-300-T1
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.9 V、工作频率 DC to 12 GHz、测试频率 12～14 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 General Purpose Amplifier。MAAM-011206-TR3000
MACOM · 封装：TDFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～5 V、工作频率 DC to 15 GHz、测试频率 1 GHz, 6 GHz, 12 GHz, 15 GHz、技术 GaAs、类型 Broadband Darlington Amplifier，采用 TDFN-16 封装。RFPA0133TR7
Qorvo · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 3.6 V、工作频率 380～960 MHz、测试频率 915 MHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、增益 32 dB，采用 QFN-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。