QPA2705SR
Qorvo · 封装：SMD-36
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2.5～2.7 GHz、测试频率 2.6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier，采用 SMD-36 封装。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录MAAP-110150
MACOM · 封装：PQFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 10～15.35 GHz、测试频率 10～15.35 GHz、技术 硅、类型 Linear Power Amplifier，采用 PQFN-24 封装。QPA2609TR7
Qorvo · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 7～14 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm，采用 QFN-16 封装。QPB8957TR13
Qorvo · 封装：QFN-40
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 50～1003 MHz、测试频率 1003 MHz、技术 GaAs、类型 CATV Doubler Amplifier，采用 QFN-40 封装。QPL9097TR7
Qorvo · 封装：DFN-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～5.25 V、工作频率 3.3～4.2 GHz、测试频率 3800 MHz、类型 High Linearity、1 dB 压缩点（P1dB） 15.5 dBm，采用 DFN-8 封装。QPA9120TR7
Qorvo · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1.8～5 GHz、测试频率 4.8 GHz、类型 High Linearity、1 dB 压缩点（P1dB） 21 dBm，采用 QFN-16 封装。QPL6207QTR7
Qorvo · 封装：DFN-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3～5.25 V、工作频率 2332 MHz、测试频率 2330 MHz、技术 硅、类型 LNA，采用 DFN-8 封装。MAAP-011233-TR0500
MACOM · 封装：AQFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 28.5～31 GHz、测试频率 30 GHz、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 34.5 dBm、增益 25 dB，采用 AQFN-32 封装。HMC998APM5E
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10～15 V、工作频率 0.1～22 GHz、测试频率 18～22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 Die 封装。QPA3357
Qorvo · 封装：SOT-115J-9
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 47～1218 MHz、技术 GaAs、类型 Power Doubler Hybrid、增益 28 dB，采用 SOT-115J-9 封装。MAAM-011238-TR0100
MACOM · 封装：QFN-12
主要参数包括工作电源电压 6 V、工作频率 40 MHz to 50 GHz、测试频率 20～30 GHz、类型 Wideband Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 17 dBm、增益 14 dB，采用 QFN-12 封装。MAAM-011275-DIE
MACOM · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～8 V、工作频率 30 kHz to 40 GHz、测试频率 40 GHz、类型 Wideband、1 dB 压缩点（P1dB） 21 dBm，采用 Die 封装。ADPA7002C-KIT
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 20～44 GHz、测试频率 34～44 GHz、技术 GaAs、类型 MMIC，采用 Die 封装。MAAL-011129-TR1000
MACOM · 封装：PDFN-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 18～31.5 GHz、测试频率 24 GHz、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 16 dBm，采用 PDFN-8 封装。NPA1007
MACOM · 封装：PDFN-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 20～2500 MHz、测试频率 2500 MHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Wideband，采用 PDFN-8 封装。QPA1019
Qorvo · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 22 V、工作频率 4.5～7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、增益 30 dB，采用 QFN-24 封装。QPA1006D
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 20 V、工作频率 10.7～12.7 GHz、测试频率 12.7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Wide Band，采用 Die 封装。QPA2211D
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 22 V、工作频率 27～31 GHz、测试频率 31 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Ka-Band，采用 Die 封装。QPA2225D
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 20 V、工作频率 28～38 GHz、测试频率 35 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 MMIC Driver Amplifier，采用 Die 封装。QPA1022D
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 22 V、工作频率 8.5～11 GHz、技术 GaN SiC、类型 MMIC Power Amplifier、增益 24 dB，采用 Die 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。