HMC705LP4
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 6.5 GHz、最小工作频率 100 MHz、技术 GaAs，采用 QFN-24 封装。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录MX1DS10P
Microchip Technology
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5 V、最大工作频率 15 GHz、最小工作频率 50 kHz、技术 Si、分频 2 to 220。MX1DS10P/TR
Microchip Technology
Prescaler 15GHz Programmable Ultra Variable PrescalerHMC493LP3ETR
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 18 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 QFN-16 封装。HMC494LP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 18 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 QFN-16 封装。HMC494LP3ETR
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 18 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 QFN-16 封装。HMC432E
Analog Devices · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 SOT-23-6 封装。QPL9098TR7
Qorvo · 封装：DFN-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.2 V、工作频率 4～6 GHz、测试频率 5500 MHz、技术 GaAs、类型 LNA，采用 DFN-8 封装。QPB8858TR13
Qorvo · 封装：QFN-40
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 47～1218 MHz、测试频率 1218 MHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier，采用 QFN-40 封装。QPB8896TR13
Qorvo · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～700 MHz、技术 GaAs、类型 RF Balanced Amplifier、增益 25 dB，采用 SOIC-8 封装。TGA2224
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V, 26 V、工作频率 32～38 GHz、技术 硅、类型 Wide Band MMIC Power Amplifier、增益 16 dB, 23.5 dB, 27.9 dB, 30.2 dB，采用 Die 封装。TGA2222
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 26 V、工作频率 32～38 GHz、测试频率 38 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Wide Band，采用 Die 封装。TGA2227-SM
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 8 V、类型 Low Noise Amplifier、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是、型号别名 1117415。RFPA5562SR
Qorvo
主要参数包括湿敏性 是。RFPA1802SR
RFMD (Qorvo)
主要参数包括湿敏性 是。WLAN3002CZ
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 934071657147。QPB9011SR
RFMD (Qorvo) · 封装：6 mm x 6 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2.3～2.7 GHz、测试频率 2.6 GHz、技术 硅、类型 Digital Variable Gain Amplifier，采用 6 mm x 6 mm 封装。RFAM3620BSR
RFMD (Qorvo)
RF Amplifier 1.2GHz, 36dBQPA3055
Qorvo
主要参数包括工作频率 2.9～3.6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 S-Band Power Amplifier、增益 32.5 dB、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。RFAM3620BTR7
RFMD (Qorvo)
RF Amplifier 1.2GHz, 36dB型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。