HMC434ETR
Analog Devices · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs，采用 SOT-23-6 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC434SRJZ-EP-PT
Analog Devices · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.85 V、电源电压（最大值） 3.15 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 200 MHz、技术 GaAs，采用 SOT-23-6 封装。HMC434SRJZ-EP-R7
Analog Devices · 封装：SOT-23-6
主要参数包括技术 InGaP、原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是，采用 SOT-23-6 封装。HMC437MS8GE
Analog Devices
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 7 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP。HMC437MS8GETR
Analog Devices
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 7 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP。HMC438MS8GE
Analog Devices · 封装：MS8G-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 7 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 MS8G-8 封装。HMC438MS8GETR
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 7 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 MSOP-8 封装。HMC447LC3
Analog Devices · 封装：SMT-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 26 GHz、最小工作频率 10 GHz、技术 GaAs InGaP，采用 SMT-16 封装。HMC447LC3TR
Analog Devices · 封装：SMT-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 26 GHz、最小工作频率 10 GHz、技术 GaAs InGaP，采用 SMT-16 封装。HMC492LP3
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 18 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 QFN-16 封装。HMC492LP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 18 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 QFN-16 封装。HMC493LP3
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 18 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 QFN-16 封装。HMC493LP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 18 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 QFN-16 封装。HMC959LC3
Analog Devices · 封装：QSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） - 3.6 V、电源电压（最大值） - 3 V、工作电源电压 - 3.3 V、输出电压 - 15 mV、最大工作频率 26 GHz、最小工作频率 0 Hz，采用 QSOP-16 封装。HMC905LP3ETR
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 6 GHz、最小工作频率 400 MHz、技术 SiGe，采用 QFN-16 封装。HMC905LP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 6 GHz、最小工作频率 400 MHz、技术 SiGe，采用 QFN-16 封装。HMC862ALP3ETR
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 4.75～5.25 V、最大工作频率 24 GHz、最小工作频率 100 MHz、技术 Si，采用 LFCSP-16 封装。HMC862ALP3E
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 24 GHz、最小工作频率 100 MHz、技术 Si，采用 LFCSP-16 封装。HMC859LC3
Analog Devices · 封装：QSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） - 3.6 V、电源电压（最大值） - 3 V、工作电源电压 - 3.3 V、输出电压 - 15 mV、最大工作频率 26 GHz、最小工作频率 0 Hz，采用 QSOP-16 封装。HMC705LP4E
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 6.5 GHz、最小工作频率 100 MHz、技术 GaAs，采用 QFN-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。