MC12093DR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、输出电压 800 mV、最大工作频率 1.1 GHz、最小工作频率 100 MHz，采用 SOIC-8 封装。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录MC12093MNR4G
onsemi · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、输出电压 800 mV、最大工作频率 1.1 GHz、最小工作频率 100 MHz，采用 DFN-8 封装。HMC361G8
Analog Devices · 封装：SMT-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 13 GHz、最小工作频率 10 MHz、技术 GaAs，采用 SMT-8 封装。HMC361S8GE
Analog Devices · 封装：S8G-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 10 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 S8G-8 封装。HMC361S8GETR
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 10 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 SOIC-8 封装。HMC362S8GE
Analog Devices · 封装：S8G-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 12 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 S8G-8 封装。HMC362S8GETR
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 12 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 SOIC-8 封装。HMC363G8
Analog Devices · 封装：SMT-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 12 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 SMT-8 封装。HMC363S8GE
Analog Devices · 封装：S8G-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 12 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 S8G-8 封装。HMC363S8GETR
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 12 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 SOIC-8 封装。HMC365G8
Analog Devices · 封装：SMT-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 13 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 SMT-8 封装。HMC365S8GE
Analog Devices · 封装：S8G-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 13 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 S8G-8 封装。HMC365S8GETR
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 13 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 SOIC-8 封装。HMC394LP4
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 2.2 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs，采用 QFN-24 封装。HMC394LP4E
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、最大工作频率 2.2 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs、分频 2 to 32、最小工作温度 - 55 C，采用 QFN-24 封装。HMC394LP4ETR
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 2.2 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs，采用 QFN-24 封装。HMC432ETR
Analog Devices · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 SOT-23-6 封装。HMC433E
Analog Devices · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 SOT-23-6 封装。HMC433ETR
Analog Devices · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 SOT-23-6 封装。HMC434E
Analog Devices · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 SOT-23-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。