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型号列表

20,447 条型号记录
每页 20 条

HMC362S8GETR

Analog Devices / Hittite · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 12 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP,采用 SOIC-8 封装。

HMC494LP3ETR

Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-16

主要参数包括电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 18 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP,采用 QFN-16 封装。

ADF5000BCPZ-RL7

Analog Devices · 封装:LFCSP-16

主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、高度 0.73 mm,采用 LFCSP-16 封装。

HMC988LP3ETR

Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-16

主要参数包括电源电压(最小值) 3.1 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 4.5 V、最大工作频率 4 GHz、最小工作频率 DC、分频 1 to 8,采用 QFN-16 封装。

ADF5001BCPZ-RL7

Analog Devices · 封装:LFCSP-16

主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、高度 0.73 mm,采用 LFCSP-16 封装。

HMC437MS8GETR

Analog Devices / Hittite · 封装:MSOP-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 7 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP,采用 MSOP-8 封装。

HMC365S8GETR

Analog Devices / Hittite · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 13 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP,采用 SOIC-8 封装。

HMC447LC3TR

Analog Devices / Hittite · 封装:QSOP-16

主要参数包括电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 26 GHz、最小工作频率 10 GHz、技术 GaAs InGaP,采用 QSOP-16 封装。

HMC493LP3ETR

Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-16

主要参数包括电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 18 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP,采用 QFN-16 封装。

ADMV2101BRHZ-R7

Analog Devices · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 4 GHz、最小工作频率 0.05 GHz、技术 GaAs,采用 SOIC-8 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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