PFD1K
Microchip / Microsemi
主要参数包括湿敏性 是。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC362-SX
Analog Devices · 封装：Prescaler
采用 Prescaler 封装。HMC361-SX
Analog Devices · 封装：View
采用 View 封装。HMC363-SX
Analog Devices
Prescaler I.C. Div 8 Presclr Die DC-12GHzHMC365-SX
Analog Devices
Prescaler I.C. Div 4 Presclr Die DC-13GHzUPB1508GV-EVAL-A
CEL · 封装：SSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 .5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、最大工作频率 3 GHz、最小工作频率 500 MHz、分频 2，采用 SSOP-8 封装。2089-6406-00
MACOM
Prescaler 0.5-2 GHz IL .70dB VSWR 1.45:12089-6408-00
MACOM · 封装：76.2 mm x 50.8 mm x 9.7 mm
主要参数包括最大工作频率 18 GHz、最小工作温度 2 GHz，采用 76.2 mm x 50.8 mm x 9.7 mm 封装。HMC493LP3
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 18 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 QFN-16 封装。HMC492LP3
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 18 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 QFN-16 封装。HMC362S8G
Analog Devices / Hittite · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 12 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 SOIC-8 封装。HMC365S8G
Analog Devices / Hittite · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 13 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 SOIC-8 封装。HMC437MS8G
Analog Devices / Hittite · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 7 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 MSOP-8 封装。HMC859LC3
Analog Devices / Hittite · 封装：QSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） - 3.6 V、电源电压（最大值） - 3 V、工作电源电压 - 3.3 V、输出电压 - 15 mV、最大工作频率 26 GHz、最小工作频率 DC，采用 QSOP-16 封装。HMC363
Analog Devices / Hittite · 封装：DIE
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 12 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 DIE 封装。HMC438MS8GETR
Analog Devices / Hittite · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 7 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 MSOP-8 封装。HMC862ALP3ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：LFCSP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 4.75～5.25 V、最大工作频率 24 GHz、最小工作频率 0.1 GHz、分频 1, 2, 4, 8，采用 LFCSP-16 封装。HMC794LP3ETR
Analog Devices
Prescaler Divider by 1/2/3/4, 2GHzMC12080DR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电压 1.2 V、最大工作频率 1100 MHz、最小工作频率 100 MHz，采用 SOIC-8 封装。ADF5002BCPZ-RL7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、高度 0.73 mm，采用 LFCSP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。