HMC361G8
Analog Devices / Hittite · 封装：SMT-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 13 GHz、最小工作频率 0.01 GHz、技术 GaAs，采用 SMT-8 封装。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录HMC434SRJZ-EP-PT
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.85 V、电源电压（最大值） 3.15 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 0.2 GHz、技术 GaAs，采用 SOT-23-6 封装。2089-6208-00
MACOM
Prescaler 2-18GHz IL 1.0dB VSWR 1.60:1HMC705LP4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 6.5 GHz、最小工作频率 0.1 GHz、技术 GaAs，采用 QFN-24 封装。HMC433
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-26-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 SOT-26-6 封装。HMC361S8G
Analog Devices / Hittite · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 10 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 SOIC-8 封装。HMC432
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-26-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 SOT-26-6 封装。HMC438MS8G
Analog Devices / Hittite · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 7 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 MSOP-8 封装。HMC363S8GETR
Analog Devices / Hittite · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 12 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 SOIC-8 封装。HMC394LP4ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 2.2 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs，采用 QFN-24 封装。HMC905LP3ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 6 GHz、最小工作频率 400 MHz、技术 SiGe，采用 QSOP-16 封装。HMC983LP5E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3 V, 5 V、输出电压 0.4 V、最大工作频率 7 GHz、最小工作频率 DC，采用 QFN-EP-32 封装。UXN6M9M
Microchip / Microsemi
主要参数包括湿敏性 是。HMC361S8GTR
Analog Devices
Prescaler InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 10 GHzHMC365S8GE
Analog Devices / Hittite · 封装：S8G-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 13 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 S8G-8 封装。2089-6203-00
MACOM
Prescaler 4-8GHz IL .30dB VSWR 1.35:12089-6201-00
MACOM
Prescaler 1-2GHz IL .25dB VSWR 1.25:1UXD20K
Microchip / Microsemi
主要参数包括湿敏性 是。HMC361
Analog Devices / Hittite · 封装：DIE
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 11 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 DIE 封装。MX1DS10P
Microchip / Microsemi
主要参数包括湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。