HMC437MS8GE
Analog Devices / Hittite · 封装：MS8G-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 7 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 MS8G-8 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC362S8GE
Analog Devices / Hittite · 封装：S8G-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 12 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 S8G-8 封装。HMC434ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-26-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs，采用 SOT-26-6 封装。NB7N017MMNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-52, 8 x 8
主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是，采用 QFN-52, 8 x 8 封装。MC12026ADR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电压 1.6 V、最大工作频率 1100 MHz、最小工作频率 100 MHz，采用 SOIC-8 封装。HMC494LP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 18 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 QFN-16 封装。HMC362
Analog Devices / Hittite · 封装：DIE
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 11 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 DIE 封装。ADF5000BCPZ
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、高度 0.73 mm，采用 LFCSP-16 封装。HMC394LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、最大工作频率 2.2 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs、分频 2 to 32、最小工作温度 - 55 C，采用 QFN-24 封装。HMC433ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-26-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 SOT-26-6 封装。MC12093DG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、输出电压 0.8 V、最大工作频率 1100 MHz、最小工作频率 100 MHz，采用 SOIC-8 封装。HMC361S8GE
Analog Devices / Hittite · 封装：S8G-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 10 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 S8G-8 封装。HMC434E
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-26-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 SOT-26-6 封装。HMC432E
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-26-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 SOT-26-6 封装。MC12080DG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电压 1.2 V、最大工作频率 1100 MHz、最小工作频率 100 MHz，采用 SOIC-8 封装。MC12026ADG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电压 1.6 V、最大工作频率 1100 MHz、最小工作频率 100 MHz，采用 SOIC-8 封装。HMC365
Analog Devices / Hittite · 封装：DIE
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 13 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 DIE 封装。HMC959LC3
Analog Devices / Hittite · 封装：QSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） - 3.6 V、电源电压（最大值） - 3 V、工作电源电压 - 3.3 V、输出电压 - 15 mV、最大工作频率 26 GHz、最小工作频率 DC，采用 QSOP-16 封装。ADMV2101BRHZ
Analog Devices · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 4 GHz、最小工作频率 0.05 GHz、技术 GaAs，采用 SO-8 封装。HMC365G8
Analog Devices / Hittite · 封装：SMT-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 13 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 SMT-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。