UXN14M32K
Microchip / Microsemi
主要参数包括湿敏性 是。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC862ALP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：LFCSP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 24 GHz、最小工作频率 0.1 GHz、分频 1, 2, 4, 8，采用 LFCSP-16 封装。HMC447LC3
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 26 GHz、最小工作频率 10 GHz、技术 GaAs InGaP，采用 QFN-16 封装。ADF5002BCPZ
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、高度 0.73 mm，采用 LFCSP-16 封装。UXN40M7K
Microchip / Microsemi
主要参数包括湿敏性 是。HMC794LP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 2 GHz、最小工作频率 200 MHz、技术 SiGe，采用 QFN-16 封装。HMC438MS8GE
Analog Devices / Hittite · 封装：MS8G-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 7 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 MS8G-8 封装。HMC492LP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 18 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 QFN-16 封装。MC12093MNR4G
ON Semiconductor · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、输出电压 0.8 V、最大工作频率 1100 MHz、最小工作频率 100 MHz，采用 DFN-8 封装。HMC432ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-26-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 SOT-26-6 封装。HMC433E
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-26-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 SOT-26-6 封装。HMC493LP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 18 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 QFN-16 封装。HMC905LP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：QSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 6 GHz、最小工作频率 400 MHz、技术 SiGe，采用 QSOP-16 封装。ADF5001BCPZ
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、高度 0.73 mm，采用 LFCSP-16 封装。HMC705LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 6.5 GHz、最小工作频率 0.1 GHz、技术 GaAs，采用 QFN-24 封装。MC12093DR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、输出电压 0.8 V、最大工作频率 1100 MHz、最小工作频率 100 MHz，采用 SOIC-8 封装。HMC988LP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.1 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 4.5 V、最大工作频率 4 GHz、最小工作频率 DC、分频 1 to 8，采用 QFN-16 封装。HMC361S8GETR
Analog Devices / Hittite · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 10 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 SOIC-8 封装。HMC363G8
Analog Devices / Hittite · 封装：SMT-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 12 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 SMT-8 封装。HMC363S8GE
Analog Devices / Hittite · 封装：S8G-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 12 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 S8G-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。