PE11S3905
Pasternack
主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 4.239997 oz。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ADF41510BCPZ
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、工作电源电压 3.3 V、最大输入频率 10 GHz、最小输入频率 1 GHz、输出频率范围 1～10 GHz，采用 LFCSP-24 封装。ADF41510BCPZ-RL7
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、工作电源电压 3.3 V、最大输入频率 10 GHz、最小输入频率 1 GHz、输出频率范围 1～10 GHz，采用 LFCSP-24 封装。ADF4378BCCZ
Analog Devices
主要参数包括原产国家或地区 韩国、湿敏性 是。ADF4378BCCZ-RL7
Analog Devices
主要参数包括原产国家或地区 韩国。ADF4382ABCCZ
Analog Devices · 封装：LGA-48
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 3.15 V、工作电源电压 3.15～5.25 V、最大输入频率 4.5 GHz、最小输入频率 10 MHz、输出频率范围 11.5～21 GHz，采用 LGA-48 封装。ADF4382ABCCZ-RL7
Analog Devices · 封装：LGA-48
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 3.15 V、工作电源电压 3.15～5.25 V、最大输入频率 4.5 GHz、最小输入频率 10 MHz、输出频率范围 11.5～21 GHz，采用 LGA-48 封装。ADF4382BCCZ-RL7
Analog Devices · 封装：LGA-48
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 3.15 V、工作电源电压 3.15～5.25 V、最大输入频率 4.5 GHz、最小输入频率 10 MHz、输出频率范围 687.5 MHz to 22 GHz，采用 LGA-48 封装。ADF4383BCCZ
Analog Devices · 封装：LGA-48
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 5 V、最大输入频率 4.5 GHz、最小输入频率 10 MHz、输出频率范围 10～20 GHz，采用 LGA-48 封装。ADF4383BCCZ-RL7
Analog Devices · 封装：LGA-48
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 5 V、最大输入频率 4.5 GHz、最小输入频率 10 MHz、输出频率范围 10～20 GHz，采用 LGA-48 封装。ADF4401ABCEZ
Analog Devices · 封装：LGA-80
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 3.15 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、最大输入频率 500 MHz、最小输入频率 10 MHz、输出频率范围 62.5 MHz to 8 GHz，采用 LGA-80 封装。MAX2871ETJ+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 210 MHz、最小输入频率 10 MHz、输出频率范围 3～6 GHz、技术 Si，采用 TQFN-32 封装。MAX2871ETJ+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 210 MHz、最小输入频率 10 MHz、输出频率范围 3～6 GHz、技术 Si，采用 TQFN-32 封装。MAX2870ETJ+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、最大输入频率 200 MHz、最小输入频率 10 MHz、输出频率范围 23.5 MHz to 6 GHz，采用 TQFN-32 封装。MAX2870ETJ+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～3.6 V、最大输入频率 200 MHz、最小输入频率 10 MHz、输出频率范围 3～6 GHz，采用 TQFN-32 封装。HMC699LP5E
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 5 V、最大输入频率 7 GHz、最小输入频率 10 MHz、技术 Si，采用 QFN-32 封装。HMC535LP4E
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 12.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 5 V, 12 V、最大输入频率 15.4 GHz、最小输入频率 14.7 GHz、技术 GaAs InGaP，采用 QFN-24 封装。NB3N5573DTR2G
onsemi · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、工作电源电压 3.3 V、最大输入频率 25 MHz、最小输入频率 25 MHz、输出频率范围 25～200 MHz，采用 TSSOP-16 封装。NB4N507ADR2G
onsemi · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、最大输入频率 52 MHz、最小输入频率 5 MHz、输出频率范围 50～200 MHz，采用 SOIC-16 封装。NBC12429FAR2G
onsemi · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 3.135 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、最大输入频率 20 MHz、最小输入频率 10 MHz、输出频率范围 25～400 MHz，采用 LQFP-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。