HMC838LP6CE
Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 5.2 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、最大输入频率 3780 MHz、最小输入频率 795 MHz、类型 Fractional-N,采用 QFN-40 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 5.2 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、最大输入频率 3780 MHz、最小输入频率 795 MHz、类型 Fractional-N,采用 QFN-40 封装。ON Semiconductor · 封装:TSSOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、工作电源电压 3.3 V、最小输入频率 25 MHz、输出频率范围 25~200 MHz、类型 PLL Clock Generator,采用 TSSOP-16 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3~5.5 V、类型 PLL、电路数 1、最小工作温度 - 40 C,采用 TSSOP-16 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V、最大输入频率 1950 MHz、最小输入频率 1650 MHz、输出频率范围 1600~1950 MHz,采用 LFCSP-24 封装。Analog Devices · 封装:TSSOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 3 V、最大输入频率 4 GHz、最小输入频率 10 MHz、类型 Fractional-N,采用 TSSOP-16 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、类型 PLL、电路数 1、最小工作温度 - 55 C,采用 TSSOP-16 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 3 V、最大输入频率 3 GHz、最小输入频率 50 MHz、类型 Fractional-N,采用 LFCSP-24 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-40
主要参数包括电源电压(最大值) 3.5 V、电源电压(最小值) 3.1 V、工作电源电压 3.3 V、最大输入频率 350 MHz、输出频率范围 25 MHz to 3 GHz、类型 Fractional-N,采用 LFCSP-40 封装。ON Semiconductor · 封装:SOIC-16
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、最大输入频率 52 MHz、最小输入频率 5 MHz、输出频率范围 50~200 MHz,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:PLCC-20
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 0.8 V、工作电源电压 5 V、最大输入频率 200 MHz、类型 Digital Phase/Frequency Discriminator、电路数 1,采用 PLCC-20 封装。Analog Devices · 封装:TSSOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5 V、最大输入频率 6.2 GHz、最小输入频率 10 MHz、类型 Fractional-N,采用 TSSOP-16 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-20
主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5 V、最大输入频率 4 GHz、最小输入频率 10 MHz、类型 Fractional-N,采用 LFCSP-20 封装。Analog Devices · 封装:TSSOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 3 V, 5 V、最大输入频率 4 GHz、最小输入频率 200 MHz、输出频率范围 Up to 200 MHz,采用 TSSOP-16 封装。Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、最大输入频率 14 GHz、最小输入频率 0.1 MHz、技术 SiGe,采用 QFN-40 封装。Texas Instruments · 封装:PDIP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作电源电压 4.5~5.5 V、类型 PLL、电路数 1、最小工作温度 - 55 C,采用 PDIP-16 封装。ON Semiconductor · 封装:QFN-32, 5 x 5
主要参数包括电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 3.135 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、最大输入频率 100 MHz、最小输入频率 10 MHz、输出频率范围 50~800 MHz,采用 QFN-32, 5 x 5 封装。Analog Devices · 封装:$10.51
主要参数包括最大输入频率 4 GHz、类型 Fractional-N、电路数 1、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、开发套件 EV-ADF4153ASD1Z,采用 $10.51 封装。ON Semiconductor · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V、最大输入频率 133 MHz、最小输入频率 15 MHz、输出频率范围 15~133.3 MHz,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-20
主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 3 V、最大输入频率 4 GHz、最小输入频率 10 MHz、类型 Fractional-N,采用 LFCSP-20 封装。Texas Instruments · 封装:SOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2 V、工作电源电压 2~6 V、类型 PLL、电路数 1、最小工作温度 - 55 C,采用 SOP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。