HMC833LP6GE
Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 5.2 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、最大输入频率 6000 MHz、最小输入频率 25 MHz、输出频率范围 25~6000 MHz,采用 QFN-40 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 5.2 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、最大输入频率 6000 MHz、最小输入频率 25 MHz、输出频率范围 25~6000 MHz,采用 QFN-40 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V、最大输入频率 4.4 GHz、最小输入频率 137.5 MHz、输出频率范围 135~4350 MHz,采用 LFCSP-32 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V、最大输入频率 4.4 GHz、最小输入频率 35 MHz、输出频率范围 35~4400 MHz,采用 LFCSP-32 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 2.7~3.45 V、最大输入频率 13 GHz、最小输入频率 0.5 GHz、输出频率范围 2 GHz,采用 LFCSP-24 封装。Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、最大输入频率 220 MHz、最小输入频率 10 MHz、输出频率范围 10~220 MHz,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments
主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、特性 Integrated VCO , FSK modulation, Integer-Boundary Spurs (IBS) removal, Integrated VCO, Wideband、湿敏性 是。Silicon Labs · 封装:PBGA-80
主要参数包括电源电压(最大值) 2.75 V、电源电压(最小值) 2.25 V、工作电源电压 2.5 V、最大输入频率 710 MHz、最小输入频率 0.002 MHz、输出频率范围 0.002~808 MHz,采用 PBGA-80 封装。Silicon Labs · 封装:QFN-36
主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 1.71 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、最大输入频率 710 MHz、最小输入频率 0.002 MHz、输出频率范围 0.002~808 MHz,采用 QFN-36 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.4485 V、电源电压(最小值) 3.1515 V、工作电源电压 3.3 V、最大输入频率 600 MHz、最小输入频率 10 MHz、输出频率范围 51.5625 MHz to 6.6 GHz,采用 LFCSP-32 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V、最大输入频率 4.4 GHz、最小输入频率 35 MHz、输出频率范围 35~4400 MHz,采用 LFCSP-32 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V、最大输入频率 2725 MHz、最小输入频率 2400 MHz、输出频率范围 2450~2725 MHz,采用 LFCSP-24 封装。Analog Devices · 封装:TSSOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 3 V、最大输入频率 400 MHz、最小输入频率 5 MHz、类型 Integer-N,采用 TSSOP-16 封装。Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、工作电源电压 3.3 V、最大输入频率 100 MHz、最小输入频率 25 MHz、类型 PLL Frequency Synthesizer,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices · 封装:TSSOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5 V、最大输入频率 1.2 GHz、最小输入频率 80 MHz、类型 Integer-N,采用 TSSOP-16 封装。Texas Instruments · 封装:ULGA-24
主要参数包括电源电压(最大值) 2.75 V、电源电压(最小值) 2.25 V、工作电源电压 2.25~2.75 V、输出频率范围 500~2600 MHz、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 ULGA-24 封装。Texas Instruments · 封装:WQFN-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.5~3.6 V、输出频率范围 3000~7500 MHz、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 WQFN-24 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-14
主要参数包括电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 2.85 V、工作电源电压 3 V, 3.3 V, 5 V、最小输入频率 60 MHz、类型 PLL、电路数 1,采用 TSSOP-14 封装。Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、工作电源电压 3.3 V、最大输入频率 100 MHz、最小输入频率 25 MHz、类型 PLL Frequency Synthesizer,采用 SOIC-8 封装。Cypress Semiconductor · 封装:TSSOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V、最小输入频率 25 MHz、输出频率范围 200 MHz、类型 PLL Clock Synthesizer,采用 TSSOP-16 封装。Cypress Semiconductor · 封装:TSSOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V、最小输入频率 25 MHz、输出频率范围 200 MHz、类型 PLL Clock Synthesizer,采用 TSSOP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。