MAAD-007083-000100
MACOM · 封装：PQFN-32
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、最大频率 6 GHz、最小频率 DC、技术 GaAs、类型 Digital Attenuator，采用 PQFN-32 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ATN3580-02
Skyworks Solutions, Inc.
该型号为衰减器。HMC656LP2ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：DFN-EP-6
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 25 GHz、最小频率 DC、技术 GaAs、类型 Fixed Attenuator、最大衰减 10 dB，采用 DFN-EP-6 封装。MAX19790ETX+
Maxim Integrated · 封装：QFN-36
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、最大频率 4 GHz、最小频率 0.25 GHz、技术 SiGe、类型 Dual Analog Voltage Variable Attenuator，采用 QFN-36 封装。HMC306AMS10E
Analog Devices · 封装：MSOP-10
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～5 V、最大频率 3.8 GHz、最小频率 700 MHz、技术 GaAs、类型 Digital Attenuator，采用 MSOP-10 封装。EXB-24AT4AR3X
Panasonic · 封装：0404
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 3 GHz、最小频率 DC、类型 Chip Attenuator、最大衰减 4 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.3，采用 0404 封装。PAT0510S-C-8DB-T10
Susumu · 封装：0402
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 10 GHz、最小频率 DC、类型 High Precision chip Attenuators、最大衰减 8 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.3，采用 0402 封装。HMC651
Analog Devices / Hittite · 封装：GP-5
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 50 GHz、最小频率 DC、技术 GaAs、类型 Fixed Attenuator、阻抗 50 Ω，采用 GP-5 封装。MAAV-008022-TR3000
MACOM · 封装：SOIC-8
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、最大频率 2 GHz、最小频率 0.5 GHz、技术 GaAs、类型 Voltage Variable Absorptive Attenuator，采用 SOIC-8 封装。HMC658LP2E
Analog Devices / Hittite · 封装：DFN-EP-6
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 25 GHz、最小频率 DC、技术 GaAs、类型 Fixed Attenuator、最大衰减 20 dB，采用 DFN-EP-6 封装。EXB-24AT2AR3X
Panasonic · 封装：0404
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 3 GHz、最小频率 DC、类型 Chip Attenuator、最大衰减 2 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.3，采用 0404 封装。HMC657
Analog Devices / Hittite · 封装：GP-5
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 50 GHz、最小频率 DC、技术 GaAs、类型 Fixed Attenuator、最大衰减 15 dB，采用 GP-5 封装。HMC759LP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-16
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、最大频率 300 MHz、最小频率 10 MHz、技术 GaAs、类型 Digital Attenuator，采用 QFN-EP-16 封装。HMC657LP2E
Analog Devices / Hittite · 封装：DFN-EP-6
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 25 GHz、最小频率 DC、技术 GaAs、类型 Fixed Attenuator、最大衰减 15 dB，采用 DFN-EP-6 封装。PAT0510S-C-9DB-T10
Susumu · 封装：0402
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 10 GHz、最小频率 DC、类型 High Precision chip Attenuators、最大衰减 9 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.3，采用 0402 封装。PXV1220S-5DBN1-T02
Susumu · 封装：0805 (2012 metric)
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 3 GHz、最小频率 DC、技术 GaAs、类型 Temperature Compensated Chip Attenuators、最大衰减 10 dB、阻抗 50 Ω，采用 0805 (2012 metric) 封装。PXV1220S-3DBN2-T02
Susumu · 封装：0805 (2012 metric)
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 3 GHz、最小频率 DC、技术 GaAs、类型 Temperature Compensated Chip Attenuators、最大衰减 10 dB、阻抗 50 Ω，采用 0805 (2012 metric) 封装。ATN3590-03
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：Die
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 40 GHz、技术 GaAs、类型 Fixed Attenuators、最大衰减 3 dB、阻抗 50 Ω，采用 Die 封装。HMC624ACPSZ-EP-PT
Analog Devices / Hittite · 封装：LFCSP-24
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～5 V、最大频率 6 GHz、最小频率 0.1 GHz、技术 GaAs、类型 Digital Attenuator，采用 LFCSP-24 封装。PXV1220S-3DBN1-T02
Susumu · 封装：0805 (2012 metric)
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 3 GHz、最小频率 DC、技术 GaAs、类型 Temperature Compensated Chip Attenuators、最大衰减 10 dB、阻抗 50 Ω，采用 0805 (2012 metric) 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。