L8104
CEL · 封装：MELF
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 High Power、反向电压（Vr） 180 V、最大二极管电容 1.2 pF、最大最大正向电流下串联电阻 750 mOhms、正向电流（If） 50 mA，采用 MELF 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MPN7420-C12
MACOM
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 美国。UM7201D
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 0.158739 oz。L8107
CEL · 封装：MELF
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 High Power、反向电压（Vr） 90 V、最大二极管电容 600 fF、最大最大正向电流下串联电阻 1.5 Ω、正向电流（If） 50 mA，采用 MELF 封装。UMX10015AP
Microchip Technology
该型号为二极管。UMX1089-GM2
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、反向电压（Vr） 75 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single、反向电流（Ir） 50 nA。UMX512
Microchip Technology
该型号为二极管。UPP1004/TR13
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。UPP1004/TR7
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。LXP1000-23-2
Microchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 5 GHz、技术 Si、类型 High Performance Switch Pin Diodes、反向电压（Vr） 5 V、最大最大正向电流下串联电阻 2.5 Ω、正向电流（If） 5 mA，采用 SOT-23-3 封装。LXP1002-23-2/TR
Microchip Technology
该型号为二极管。MMP4405-GM2/TR
Microchip Technology
该型号为二极管。MP6133-P00
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。MPL4700-206/TR
Microchip Technology
该型号为二极管。UM9404F
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、反向电压（Vr） 400 V。UM9406F
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、反向电压（Vr） 600 V。L8104-240
CEL · 封装：MELF
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 High Power、反向电压（Vr） 240 V、最大二极管电容 1.2 pF、最大最大正向电流下串联电阻 750 mOhms、正向电流（If） 50 mA，采用 MELF 封装。1SV264-TL-E
onsemi · 封装：SC-70-3
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 230 fF、正向电流（If） 50 mA、正向电压（Vf） 950 mV、组装国家或地区 中国，采用 SC-70-3 封装。MAPS-010165-001SMB
MACOM
Phase Detectors / Shifters Sample Brd,3.5-6.0GHz,6Bit,4mmPQFN-24LDMAPS-010146-001SMB
MACOM
Phase Detectors / Shifters Sample Brd,8.0-12.0GHz,4Bit,4mmPQFN-24LD型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。