MPP4403-206
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MPP4403-206/TR
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。MPP4404-206/TR
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。MPS2R10-606
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。MPS2R10-606/TR
Microchip Technology · 封装：0805 (2012 metric)
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 50 MHz、最大工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 High Power MMSM PIN Diode、反向电压（Vr） 150 V、正向电流（If） 200 mA，采用 0805 (2012 metric) 封装。MPV1965-206/TR
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该型号为二极管。MPV2100-206/TR
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该型号为二极管。SM0812-M1
Microchip Technology · 封装：MELF
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 High Power PIN Diode、反向电压（Vr） 700 V、最大二极管电容 1.3 pF、正向电流（If） 1 A、最小工作温度 - 55 C，采用 MELF 封装。SM1002-M1
Microchip Technology · 封装：MELF
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 High Power PIN Diode、反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 1.2 pF、正向电流（If） 1 A、最小工作温度 - 55 C，采用 MELF 封装。SMX1001MR-M1
Microchip Technology
该型号为二极管。UM4010SM
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该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 0.052177 oz。UM4901D
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该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 0.274414 oz。UM7002F
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 High Power PIN Diode、反向电压（Vr） 200 V、最大二极管电容 900 fF、最大最大正向电流下串联电阻 1 Ω、最小工作温度 - 65 C。UM7006F
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该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 High Power PIN Diode、反向电压（Vr） 600 V、最大二极管电容 900 fF、最大最大正向电流下串联电阻 1 Ω、最小工作温度 - 65 C。UM7101F
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该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 High Power PIN Diode、反向电压（Vr） 100 V、最大二极管电容 1.2 pF、最大最大正向电流下串联电阻 600 mOhms、最小工作温度 - 65 C。UM7102F
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 High Power PIN Diode、反向电压（Vr） 200 V、最大二极管电容 1.2 pF、最大最大正向电流下串联电阻 600 mOhms、最小工作温度 - 65 C。UM7104F
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该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 High Power PIN Diode、反向电压（Vr） 400 V、最大二极管电容 1.2 pF、最大最大正向电流下串联电阻 600 mOhms、最小工作温度 - 65 C。UM7106F
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 High Power PIN Diode、反向电压（Vr） 600 V、最大二极管电容 1.2 pF、最大最大正向电流下串联电阻 600 mOhms、最小工作温度 - 65 C。UM7108F
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该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 High Power PIN Diode、反向电压（Vr） 800 V、最大二极管电容 1.2 pF、最大最大正向电流下串联电阻 600 mOhms、最小工作温度 - 65 C。UM7501F
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 High Power PIN Diode、反向电压（Vr） 100 V。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。